| 主权项 |
1.一种CMOS光感测器,包括:一第一光感测线,具有一第一数量的光感测胞;以及一第一电容列,具有一第二数量的电容,且该第二数量小于该第一数量,该第一电容列用以储存部分该第一光感测线之光感测胞因感应光线而产生的电位。2.如申请专利范围第1项所述之CMOS光感测器,更包括一第二电容列,该第二电容列具有一第三数量的电容,且该第三数量小于该第一数量,该第二电容列与该第一电容列分别储存不同部分之该第一光感测线之光感测胞因感应光线而产生的电位。3.如申请专利范围第1项所述之CMOS光感测器,更包括一第二光感测线,该第二光感测线之光感测胞因感应光线而产生的电位与该该第一光感测线之光感测胞因感应光线而产生的电位依预定顺序轮流储存于该第一电容列中。4.如申请专利范围第3项所述之CMOS光感测器,更包括一第二电容列,该第二电容列具有一第三数量的电容,且该第三数量小于该第一数量,该第二光感测线之光感测胞因感应光线而产生的电位则分段储存于该第二电容列之中。5.一种CMOS光感测器,包括:复数个光感测线,该些光感测线分别具有复数个光感测胞;以及一电容列群,该电容列群具有一个以上的电容列,且每一个电容列具有数量少于每一该些光感测线之该些光感测胞之数量的复数个电容,每一该些光感测线之该些光感测胞因感应光线而产生的电位系依预定顺序轮流储存于该电容列群之电容列之中。6.如申请专利范围第5项所述之CMOS光感测器,其中当该电容列群具有多个电容列时,每一该些光感测线之该些光感测胞因感应光线而产生的电位系分段储存于该电容列群的部分电容列中。7.如申请专利范围第5项所述之CMOS光感测器,其中该些光感测线中的每一条可将所产生之电位储存至该电容列群中的一个电容列。8.如申请专利范围第5项所述之CMOS光感测器,其中该些光感测线中的每一条可将所产生之电位储存至该电容列群中的两个以上的电容列。9.如申请专利范围第8项所述之CMOS光感测器,其中该些光感测线中的每一条可将所产生之电位储存至该电容列群中的两个电容列。10.如申请专利范围第5项所述之CMOS光感测器,其中该些光感测线的数量大于该电容列群之电容别的数量。11.一种CMOS光感测器之操作方法,包括下列步骤:曝光至少部分的光感测胞以产生相应之电荷;转变部份曝光过而尚未处理之该些光感测胞的电荷而得相应之电位,并储存电位于一第一电容列中;读取该第一电容列所储存的电位;以及重复执行转变电荷并储存电位及读取电位的步骤,直到曝光过之该些光感测胞皆处理完毕。12.如申请专利范围第11项所述之CMOS光感测器之操作方法,其中于具备复数个电容列时,该转变电荷并储存电位之步骤及该读取电位之步骤可以下列步骤替代:当该些电容列之一所储存的电位尚未读取完毕时,将部份曝光过而尚未处理之该些光感测胞的电荷转变而得相应之电位,并将电位储存于除尚未读取完毕之该电容列以外之任一其余的该些电容列中;以及依预定顺序分别读取储存于该些电容列中的电位。13.如申请专利范围第11项所述之CMOS光感测器之操作方法,其中该转变电荷并储存电位之步骤及该读取电位之步骤可以下列步骤替代:当读取该第一电容列所储存的电位时,将部份曝光过而尚未处理之该些光感测胞的电荷转变而得相应之电位,并将电位储存于一第二电容列中;当读取该第二电容列所储存的电位时,将部份曝光过而尚未处理之该些光感测胞的电荷转变而得相应之电位,并将电位储存于该第一电容列中;以及依预定顺序分别读取储存于该第一电容列与该第二电容列中的电位。14.如申请专利范围第11项所述之CMOS光感测器之操作方法,更包括下列步骤:于一第一位置完成曝光操作后,将该CMOS光感测器移至一第二位置;以及在该CMOS光感测器完成读取操作后,于该第二位置进行曝光操作。图式简单说明:第1图绘示的是习知技术所使用之CMOS光感测器的光感测线与电容列之关系示意图;第2图绘示的是根据本发明之一较佳实施例的线性CMOS光感测器中光感测线与电容列间的关系示意图;第3图绘示的是根据本发明之一较佳实施例的交错式CMOS光感测器中光感测线与电容列间的关系示意图;第4图绘示的是根据本发明之另一较佳实施例的交错式CMOS光感测器中光感测线与电容列间的关系示意图;第5图绘示的是根据本发明之又一较佳实施例的交错式CMOS光感测器中光感测线与电容列间的关系示意图;第6图绘示的是根据本发明之一较佳实施例以单一电容列对应于一条以上之光感测线的CMOS光感测器架构的操作时序图;第7A图绘示的是根据本发明之一较佳实施例之以多电容列对应至一条光感测线的CMOS光感测器架构示意图;以及第7B图绘示的是第7A图所可采用之操作方法之一较佳实施例的操作时序图。 |
