| 主权项 |
1.一种萤光体之检查方法,系就对于萤光体照射光而发出萤光并且藉由所发光之萤光而检查萤光体的萤光体之检查方法,其特征为:作为对于萤光体照射光之光源,系使用在发光管内至少密封有镉和稀有气体并且在200nm-230nm间具有亮线的短电弧型放电灯。2.一种萤光体之检查方法,系就对于萤光体照射光而发出萤光,并且藉由所发光之萤光而检查萤光体的萤光体之检查方法,其特征为:作为对于萤光体照射光之光源,系使用具备:用以进行电介质障蔽式放电之电极以及填充氪气和氯气之放电容器,并且取出由藉着电介质障蔽式放电所产生之氪氯化物准分子而放射出之光,而且在200nm-230nm间具有亮线的电介质障蔽式准分子放电灯。3.如申请专利范围第1或2项所记载之萤光体之检查方法,其中,上述萤光体系涂敷在图像显示用基板上之萤光体。4.一种萤光体之检查装置,系就由光源将光照射在萤光体上而观察由该萤光体所产生之萤光并且检查萤光体之缺损等之涂敷状况的萤光体之检查装置,其特征为:作为上述光源,系使用在发光管内至少密封有镉和稀有气体并且在200nm-230nm间具有亮线的短电弧型放电灯或者是使用具备:用以进行电介质障蔽式放电之电极以及填充氪气和氯气之放电容器,并且取出由藉着电介质障蔽式放电所产生之氪氯化物准分子而放射出之光,而且在200nm-230nm间具有亮线的电介质障蔽式准分子放电灯。5.一种萤光体之检查装置,系就由光源将光照射在萤光体上而观察由该萤光体所产生之萤光,并且检查萤光体之缺损等之涂敷状况的萤光体之检查装置,其特征为:上述检查装置,系具备:具有用以进行电介质障蔽式放电之电极以及填充氪气和氯气之放电容器,并且取出由藉着电介质障蔽式放电所产生之氪氯化物准分子而放射出之光,而且在200nm-230nm间具有亮线的棒状电介质障蔽式准分子放电灯、及收集由上述电介质障蔽式准分子放电灯所放射出之光的闸门状镜、及接受由上述萤光体所产生之萤光的CCD感测器、以及为了使得来自上述电介质障蔽式准分子放电灯之光照射在上述萤光体涂敷面之整个面上而相对地移动成为上述检查对象之萤光体涂敷面或上述电介质障蔽式准分子放电灯和CCD感测器的手段。6.一种萤光体之检查装置,系就由光源将光照射在萤光体上而观察由该萤光体所产生之萤光,并且检查萤光体之缺损等之涂敷状况的萤光体之检查装置,其特征为:上述检查装置,系具备:具有在发光管内至少密封有镉和稀有气体并且在200nm-230nm间具有亮线的短电弧型放电灯及反射来自上述灯之光之集光镜的光照射部、及将来自上述光照射部之光导引至上述萤光体涂敷面的导光纤、及接受由上述萤光体所产生之萤光的CCD感测器、以及为了使得来自光照射部之光照射在上述萤光体涂敷面之整个面上而相对地移动成为上述检查对象之涂敷面或导光纤和CCD感测器的手段。图式简单说明:第1图系显示本发明之第1实施例之萤光体之检查装置之概略构造之图面。第2图系显示在第1图之检查装置中而自动地进行检查之状态下之构造例之图面。第3图系显示在第1实施例所使用之短电弧型镉灯之构造例之图面。第4图系显示第3图所示之镉灯之光谱分布之图面。第5图系显示氙灯之光谱分布之图面。第6图系显示超高压水银灯之光谱分布之图面。第7图系显示本发明之第2实施例之萤光体之检查装置之概略构造之图面。第8图系显示在第2实施例所使用之电介质障蔽式准分子放电灯之构造例之图面。第9图系显示第8图所示之电介质障蔽式准分子放电灯之光谱分布之图面。第10图系显示端窗型之电介质障蔽式准分子放电灯之构造例之图面。第11图系显示使用端窗型之电介质障蔽式准分子放电灯之检查装置之构造例之图面。第12图系PDP之剖面图及用以说明基板上之萤光体检查之图面。第13图系用以说明萤光体之检查项目之图面。 |
