| 主权项 |
1.一种具有相容电终端之装置,包含:一导电体;及一导电性相容凸块,系形成于导电体上,其中相容凸块包含:一导电性之可焊性帽盖层,包含选自以:铅、锡、镉、铟、铋、镓、铜、银、铂、钯、及镍所组成族群中之至少一金属;及一导电性之相容体,系定位于可焊性帽盖层与导电体之间,其中相容体将可焊性帽盖层电耦合于导电体。2.如申请专利范围第1项之装置,其中相容体形成一挠性之导电性路径于可焊性帽盖层与导电体之间。3.如申请专利范围第1项之装置,其中当相容凸块承受一施加于可焊性帽盖层与导电体之间之力时,相容凸块之形状即自一原始形状变成一变化形状,及其中当施力去除时,相容凸块之形状实质上回复到原始形状。4.如申请专利范围第1项之装置,其中相容体包含一聚合物基质之材料。5.如申请专利范围第4项之装置,其中聚合物基质之材料系选自以:环氧树脂、矽酮、聚醯亚胺、丙烯酸酯聚合物、及丙烯酸酯共聚物所组成之族群中。6.如申请专利范围第4项之装置,其中相容体进一步包含选自以:银、金、钯所组成族群中之至少一填料,其中至少一填料用于增加相容体之导电率。7.如申请专利范围第1项之装置,其中相容体具有一小于或等于约0.001欧姆-厘米之体积电阻系数。8.如申请专利范围第1项之装置,其中相容体具有一小于或等于约0.0001欧姆-厘米之体积电阻系数。9.如申请专利范围第1项之装置,其中相容体具有一小于或等于约8,000 MPa之杨氏系数。10.如申请专利范围第1项之装置,其中相容体具有一小于或等于约1,000 MPa之杨氏系数。11.如申请专利范围第1项之装置,其中可焊性帽盖层包含一合金,包括选自以:铅、锡、镉、铟、铋、及镓所组成族群中之至少二金属。12.如申请专利范围第1项之装置,其中导电体用于输送电力或一电力信号往或自装置,及其中相容凸块形成装置之一电力终端。13.如申请专利范围第1项之装置,其中导电体系装置之一输入/输出(I/O)垫块。14.如申请专利范围第1项之装置,其中相容体直接接触于可焊性帽盖层及导电体。15.一种具有相容电终端之装置,包含:一基板;复数输入/输出(I/O)垫块,系配置于基板之一表面上;及复数导电性相容凸块,其中各相容凸块形成于一不同之I/O垫块上及包含:一导电性之可焊性帽盖层,包含选自以:铅、锡、镉、铟、铋、镓、铜、银、铂、钯、及镍所组成族群中之至少一金属;及一导电性之相容体,系定位于可焊性帽盖层与一相对应I/O垫块之间,其中相容体将可焊性帽盖层电耦合于相对应I/O垫块。16.如申请专利范围第15项之装置,其中相容体形成一挠性之导电性路径于可焊性帽盖层与I/O垫块之间,以供相容凸块形成于其上。17.如申请专利范围第15项之装置,其中当相容凸块承受一施加于可焊性帽盖层与基板之间之力时,相容凸块之形状即自一原始形状变成一变化形状,及其中当施力去除时,各相容凸块之形状实质上回复到原始形状。18.如申请专利范围第15项之装置,其中相容体包含一聚合物基质之材料。19.如申请专利范围第18项之装置,其中聚合物基质之材料系选自以:环氧树脂、矽酮、聚醯亚胺、丙烯酸酯聚合物、及丙烯酸酯共聚物所组成之族群中。20.如申请专利范围第18项之装置,其中相容体进一步包含选自以:银、金、钯所组成族群中之至少一填料,其中至少一填料用于增加相容体之导电率。21.如申请专利范围第15项之装置,其中相容体具有一小于或等于约0.001欧姆-厘米之体积电阻系数。22.如申请专利范围第15项之装置,其中相容体具有一小于或等于约0.0001欧姆-厘米之体积电阻系数。23.如申请专利范围第15项之装置,其中相容体具有一小于或等于约8,000 MPa之杨氏系数。24.如申请专利范围第15项之装置,其中相容体具有一小于或等于约1,000 MPa之杨氏系数。25.如申请专利范围第15项之装置,其中可焊性帽盖层包含一合金,包括选自以:铅、锡、镉、铟、铋、及镓所组成族群中之至少二金属。26.如申请专利范围第15项之装置,其中装置之I/O垫块终止装置之电力及信号线,及其中相容凸块形成装置之电力终端。27.如申请专利范围第15项之装置,其中装置系一积体电路模型,及其中基板系一半导体基板。28.如申请专利范围第15项之装置,其中装置系一印刷电路板,及其中基板包含一塑胶材料。29.如申请专利范围第15项之装置,其中装置系一互连装置,及其中基板包含一陶质材料。30.如申请专利范围第15项之装置,其中可焊性帽盖层系可湿焊。31.如申请专利范围第15项之装置,其中相容体直接接触于可焊性帽盖层及相对应I/O垫块。32.一种形成一相容电终端于一导电体之上表面上之方法,包含:形成一导电性相容体于导电体之上表面上,以致于相容体电耦合于导电体;及形成一导电性可焊性帽盖层于相容体上,以致于可焊性帽盖层电耦合于相容体,其中可焊性帽盖层包含选自以:铅、锡、镉、铟、铋、镓、铜、银、铂、钯、及镍所组成族群中之至少一金属。33.如申请专利范围第32项之方法,其中导电性相容体之形成包含:形成一导电性相容体于导电体之上表面上,以致于相容体之一下侧表面直接接触于导电体之上表面,且相容体藉此电耦合于导电体。34.如申请专利范围第32项之方法,其中导电性相容体之形成包含:形成一导电性相容体于导电体之上表面上,以致于相容体电耦合于导电体,其中相容体之一外周边延伸至导电体之一外周边以外。35.如申请专利范围第32项之方法,其中导电性可焊性帽盖层之形成包含:形成一导电性可焊性帽盖层于相容体上,以致于可焊性帽盖层之一下侧表面直接接触于相容体之上表面,且可焊性帽盖层藉此耦合于相容体,其中可焊性帽盖层包含选自以:铅、锡、镉、铟、铋、镓、铜、银、铂、钯、及镍所组成族群中之至少一金属。36.一种形成一相容电终端于一导电体之上表面上之方法,包含:形成一导电性金属涂层于导电体之上表面上,以致于导电性金属电耦合于导电体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至导电体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层;形成一导电性相容体于导电性金属涂层上,以致于相容体电耦合于导电性金属涂层;及形成一导电性可焊性帽盖层于相容体上,以致于可焊性帽盖层电耦合于相容体。37.如申请专利范围第36项之方法,其中导电性金属涂层之形成包含:形成一导电性金属涂层于导电体之上表面上,以致于导电性金属电耦合于导电体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至导电体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层,及其中导电性金属涂层包含选自以:铬、铜、金、银、钛、及钨所组成族群中之至少一层金属。38.如申请专利范围第36项之方法,其中导电性可焊性帽盖层之形成包含:形成一导电性可焊性帽盖层于相容体上,以致于可焊性帽盖层电耦合于相容体,其中可焊性帽盖层包含选自以:铅、锡、镉、铟、铋、镓、铜、银、铂、钯、及镍所组成族群中之至少一金属。39.一种形成一相容电终端于一导电体之上表面上之方法,包含:形成一导电性相容体于导电体之上表面上,以致于相容体电耦合于导电体;形成一导电性金属涂层于相容体上,以致于导电性金属电耦合于相容体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至相容体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层;及形成一导电性可焊性帽盖层于导电性金属涂层上,以致于可焊性帽盖层电耦合于导电性金属涂层。40.如申请专利范围第39项之方法,其中导电性金属涂层之形成包含:形成一导电性金属涂层于相容体上,以致于导电性金属电耦合于相容体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至相容体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层,及其中导电性金属涂层包含选自以:铬、铜、金、银、钛、及钨所组成族群中之至少一层金属。41.如申请专利范围第39项之方法,其中导电性可焊性帽盖层之形成包含:形成一导电性可焊性帽盖层于导电性金属涂层上,以致于可焊性帽盖层电耦合于导电性金属涂层,其中可焊性帽盖层包含选自以:铅、锡、镉、铟、铋、镓、铜、银、铂、钯、及镍所组成族群中之至少一金属。42.一种形成一相容电终端于一导电体之上表面上之方法,包含:形成一第一导电性金属涂层于导电体之上表面上,以致于导电性金属电耦合于导电体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至导电体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层;形成一导电性相容体于导电体之上表面上,以致于相容体电耦合于导电体;形成一第二导电性金属涂层于相容体上,以致于导电性金属电耦合于相容体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至相容体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层;及形成一导电性可焊性帽盖层于第二导电性金属涂层上,以致于可焊性帽盖层电耦合于第二导电性金属涂层。43.如申请专利范围第42项之方法,其中第一导电性金属涂层之形成包含:形成一第一导电性金属涂层于导电体之上表面上,以致于导电性金属电耦合于导电体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至导电体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层,及其中导电性金属涂层包含选自以:铬、铜、金、银、钛、及钨所组成族群中之至少一层金属。44.如申请专利范围第42项之方法,其中第二导电性金属涂层之形成包含:形成一第二导电性金属涂层于相容体上,以致于导电性金属电耦合于相容体,其中导电性金属涂层之一外周边延伸至相容体之一外周边以外,及其中导电性金属涂层系做为一黏接层或一障壁层,及其中导电性金属涂层包含选自以:铬、铜、金、银、钛、及钨所组成族群中之至少一层金属。45.如申请专利范围第42项之方法,其中导电性可焊性帽盖层之形成包含:形成一导电性可焊性帽盖层于第二导电性金属涂层上,以致于可焊性帽盖层电耦合于第二导电性金属涂层,其中可焊性帽盖层包含选自以:铅、锡、镉、铟、铋、镓、铜、银、铂、钯、及镍所组成族群中之至少一金属。图式简单说明:图1系一装置之一部分立体图,装置包括一基板及配置于基板表面上之复数导电性相容凸块,其中各相容凸块包括一导电性相容体及一导电性可焊性帽盖层;图2A为图1所示基板之一部分截面图,其中一输入/输出(I/O)垫块已形成于一部分基板之表面上;图2B为图2A所示基板之一部分截面图,其中图1之相容体已形成于I/O垫块之一上表面上;图2C为图2B所示基板之一部分截面图,其中图1之可焊性帽盖层已形成于相容体之一上表面上;图3A为图1所示基板之一部分截面图,其中图2A之I/O垫块已形成于一部分基板之表面上;图3B为图3A所示基板之一部分截面图,其中一导电性金属涂层已形成于I/O垫块之上及侧表面上;图3C为图3B所示基板之一部分截面图,其中图1之相容体已形成于导电性金属涂层之一上表面上;图3D为图3C所示基板之一部分截面图,其中图1之可焊性帽盖层已形成于相容体之一上表面上;图4A为图1所示基板之一部分截面图,其中图2A之I/O垫块已形成于一部分基板之表面上;图4B为图4A所示基板之一部分截面图,其中图1之相容体已形成于I/O垫块之一上表面上;图4C为图4B所示基板之一部分截面图,其中一导电性金属涂层已形成于相容体之一上表面上;图4D为图4C所示基板之一部分截面图,其中图1之可焊性帽盖层已形成于导电性金属涂层之一上表面上;图5A为图1所示基板之一部分截面图,其中图2A之I/O垫块已形成于一部分基板之表面上;图5B为图5A所示基板之一部分截面图,其中图3B之导电性金属涂层已形成于I/O垫块之上表面及侧表面上;图5C为图5B所示基板之一部分截面图,其中图1之相容体已形成于图3B之导电性金属涂层之上表面上;图5D为图5C所示基板之一部分截面图,其中图4C之导电性金属涂层已形成于相容体之上表面上;及图5E为图5D所示基板之一部分截面图,其中图1之可焊性帽盖层已形成于图4C之导电性金属涂层之上表面上。 |
