| 主权项 |
1.一种可被用于二元、多位元及体积数据储存之光学记录材料,其包含至少一种在极化电磁辐射照射下会改变其空间排列之聚合性及/或低聚性偶氮染料,及选择之至少一种具形状各向异性之基团;其特征在于:.染料之最大吸收度与400nm之差为至少30nm,宜为40nm,及.在400nm下,染料达到不超过其最大吸收度之60%的光学密度及.藉改变光化光的偏极状态,具有可被重写的能力,在消除/重写循环后可达到原始値之至少80%之强度,及.其中在400nm下,在另一相同的条件下,写入动作之进行不会比在500nm下更慢,且此时所引起之双折射値与在500nm下所引起之双折射値之差异不会超过10%。2.根据申请专利范围第1项之记录材料,其特征在于染料之最大吸收度(AM)低于370nm,宜为360nm。3.根据申请专利范围第1项之记录材料,其特征在于染料之最大吸收度大于450nm。4.根据申请专利范围第1项之记录材料,其特征在于该记录材料包括一种共聚物,其包含至少一种AM大于450nm之成分和至少一种AM低于360nm之成分。5.根据申请专利范围第1至4项中之一或多项之记录材料,其特征在于该记录材料在250nm厚度下的固体状态,于波长范围380至420nm,较佳390至410nm,尤佳395至405nm之波长下,具有≦1,较佳低于或等于0.5,尤佳低于或等于0.3之光学密度。6.根据申请专利范围第1项之记录材料,其特征在于该电磁辐射为在较佳介于380至420nm之间,特佳介于390至410nm之间,尤佳介于395至405nm之间的雷射波长范围下之光。7.根据申请专利范围第1项之记录材料,其特征在于化学结合性染料系对应于式(Ⅰ):其中R1及R2互相独立地代表氢或一非离子性取代基,及m及n互相独立地代表一由0至4,较佳由0至2的整数,X1及X2代表X1'-R3及X2'-R4,其中X1'及X2'代表一直接键,-O-、-S-、-(N-R5)-、-C(R6R7)-、-(C=O)-、-(CO-O)-、-(CO-NR5)-、-(SO2)-、-(SO2-O)-、-(SO2-NR5)-、-(C=NR8)-或-(CNR8-NR5)-,R3.R4.R5及R8互相独立地代表氢、C1-至C20-烷基、C3-至C10-环烷基、C2-至C20-烯基、C6-至C10-芳基、C1-至C20-烷基-(C=O)-、C3-至C10-环烷基-(C=O)-、C2-至C20-烯基-(C=O)-、C6-至C10-芳基-(C=O)-、C1-至C20-烷基-(SO2)-、C3-至C10-环烷基-(SO2)-、C2-至C20-烯基-(SO2)-或C6-至C10-芳基-(SO2)-,或X1'-R3及-X2'-R4可代表氢、卤素、氰基、硝基、CF3或CCl3,R6及R7互相独立地代表氢、卤素、C1-至C20-烷基、C1-至C20-烷氧基、C3-至C10-环烷基、C2-至C20-烯基或C6-至C10-芳基;其中染料在诱导性双折射已被写入后之对光化光的敏感度被维持在一最终値,且此敏感度为当分子纵轴位在垂直于光化光偏极方向时之原始値之至少5%,较佳为10%,特佳为15%,尤佳为20%。8.根据申请专利范围第1项之记录材料,其特征在于至少一种式(Ⅱ)之单体:其中R代表氢或甲基,及其他基团具有上述之定义;已被用于制备中。9.根据申请专利范围第1项之记录材料,其特征在于其包含至少一种式XIII至XX之聚合物:其中在共-及三聚合物中之组成可改变,前提是x+y加总至多达100莫耳%,或x+y+z加总至多达100莫耳%。10.根据申请专利范围第9项之记录材料,其特征在于p为介于10和1,000之间及/或在共聚物的情况中x:y为介于10:90和90:10之间,较佳介于30:70之间,特佳介于40:60和60:40之间,尤佳为50:50,及/或在三聚合物的情况中x+y大于10莫耳%,较佳大于20莫耳%,特佳大于30莫耳%。11.一种储存系统,其特征在于其包含一种根据申请专利范围第1至10项中任一项之记录材料。12.根据申请专利范围第11项之储存系统,其特征在于记录材料包含一或多种任何所欲形状之无撑物体,较佳为一种无撑平板结构,特佳为一种无撑薄膜,一种较佳包含至少一种基层之多层结构。13.根据申请专利范围第11项之储存系统,其特征在于其亦另外包含一种折射层。14.一种制造根据申请专利范围第11至13项中任一项之储存系统的方法,其特征在于其包含一步骤,其中储存媒体系藉旋涂方式被涂覆。图式简单说明:第1图:实例3之聚合物层于写入/消除实验中之双折射。 |
