| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING A HETERO-BIPOLAR TRANSISTOR AND HETERO-BIPOLAR-TRANSISTOR |
| 摘要 |
Für einen Heterobipolartransistor, insbesondere auf GaAs-Basis werden ein vorteilhafter Aufbau und ein Herstellungsverfahren zur Erzielung günstiger und langzeitstabiler Bauelemente angegeben.
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| 申请公布号 |
WO03105211(A1) |
申请公布日期 |
2003.12.18 |
| 申请号 |
WO2003EP05658 |
申请日期 |
2003.05.30 |
| 申请人 |
UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH;BEHAMMER, DAG |
发明人 |
BEHAMMER, DAG |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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