| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé permettant de produire un substrat comprenant une couche utile (30) d'au moins un matériau semi-conducteur monocristallin sur un support (40), impliquant une croissance épitaxiale du matériau semi-conducteur monocristallin sur une couche de nucléation (12). Ladite couche de nucléation est munie d'un support intermédiaire (20) sous forme de fine couche de matériau de nucléation prélevé dans un substrat source (10). Ledit procédé comprend les étapes suivantes : sélectionner le matériau du support intermédiaire de sorte qu'il puisse être soumis à une attaque chimique par un milieu d'attaque chimique donné, qu'il puisse être soumis à une dissociation thermique lorsqu'il est exposé à la température de croissance épitaxiale et qu'il soit moins onéreux que des matériaux moins susceptibles d'être soumis à une dissociation thermique à ladite température de croissance épitaxiale ; sélectionner le matériau de la couche de nucléation, de sorte qu'il forme une barrière à l'encontre de la diffusion d'éléments dérivant de la dissociation thermique du matériau du support intermédiaire ; appliquer la couche de nucléation (12) sur le support intermédiaire (20) ; procéder à la croissance du ou de chaque matériau semi-conducteur monocristallin de la couche utile (30) sur ladite couche de nucléation (12) ; lier la couche utile (30) à un support final (40) sur la face de ladite couche utile opposée au support intermédiaire ; et exposer ledit support intermédiaire (20) à l'action du milieu d'attaque chimique afin de l'enlever par attaque chimique sensiblement sans altérer la couche utile (30). L'invention s'utilise dans la production de composants optoélectroniques tels que des DEL à base d'une fine couche de nitrures métalliques.</p> |
