Halbleitervorrichtung mit epitaktisch gefülltem Graben und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit epitaktisch gefülltem Graben

摘要

Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat (1, 41, 42) und eine Halbleiterschicht (3, 31, 43). Das Halbleitersubstrat (1, 41, 42) hat als Hauptfläche (1a) eine Si{100}-Fläche. Das Substrat (1, 41, 42) hat einen Graben (2, 50) in der Hauptfläche (1a). Die Halbleiterschicht (3, 31, 43) ist auf Flächen angeordnet, die den Graben (2, 50) definieren, um gemeinsame kristallographische Ebenen mit dem Halbleitersubstrat (1, 41, 42) aufzuweisen. Der Graben (2, 50) wird durch eine Bodenfläche (2c, 50c), zwei einander gegenüberliegende lange Seitenwandflächen (2a, 50a) und zwei einander gegenüberliegende kurze Seitenwandflächen (2b, 50b) definiert. Die Bodenfläche (2c, 50c) und die langen Seitenwandflächen (2a, 50a) sind Si{100}-Flächen.