发明名称 透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池
摘要 一种透明导电薄膜用靶,其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和/或钼,其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和/或氧化钼粉末成形,然后加热并烧结该成形体,使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分,并含有原子比(W+Mo)/In为0.0040-0.0470的钨和/或钼而获得所述透明导电薄膜用靶,其中该透明导电薄膜具有优异的表面光滑度和6×10<SUP>-4</SUP>Ω·cm或更低的低电阻率,并且甚至当在170℃下加热时,其表面光滑度和电阻率也不会变化。
申请公布号 CN1461819A 申请公布日期 2003.12.17
申请号 CN03138519.2 申请日期 2003.05.30
申请人 住友金属矿山株式会社 发明人 阿部能之
分类号 C23C14/08;C23C14/34;C22C28/00 主分类号 C23C14/08
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 任宗华
主权项 1.一种透明导电薄膜用靶,其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和/或钼,其中通过制备和形成氧化铟粉末和氧化钨粉末和/或氧化钼粉末,然后加热并烧结该成形体,使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分,并含有原子比(W+Mo)/In为0.0040-0.0470的钨和/或钼而获得所述透明导电薄膜用靶。
地址 日本东京都