一种薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供了一种制造含有纵向薄膜晶体管的电子器件的方法。半导体材料层(8)设置在绝缘栅电极(2)上。负性抗蚀层(14)用于形成源极和漏极(26，28)，负性抗蚀层在绝缘层(8)上延伸至靠近栅电极(2)边缘(16A)的台阶。

主权项

1.一种制造含有薄膜晶体管的电子器件的方法，包括步骤：(a)在绝缘表面上形成栅电极；(b)在所述栅电极上和在靠近所述栅电极边缘的区域沉积绝缘层，使所述绝缘层包括两个外表面，所述外表面基本上平行所述绝缘表面并被所述绝缘表面位于其间的台阶间隔开；(c)沉积半导体材料层；(d)沉积电极材料层；(e)在所述电极材料层上沉积负性抗蚀材料层，所述抗蚀材料可溶解于预定的溶剂；(f)辐射所述抗蚀层使曝光部分不能溶解于所述溶剂中，所述台阶上的部分曝光的不够使其仍保持可溶解；(g)使用预定的溶剂对所述抗蚀层显影，因此将所述台阶上的部分清除；和(h)将步骤(g)暴露的所述电极材料层部分清除，形成源极和漏极，所述源极和漏极在各自所述绝缘层的外表面延伸至所述台阶。