| 发明名称 | 薄膜式锰铜超高压力传感器 | ||
| 摘要 | 本发明为薄膜式锰铜超高压力传感器，无机绝缘材料基板(1)上有沉积的锰铜薄膜(2)和电极(3)，锰铜薄膜(2)和电极(3)上覆盖有无机绝缘薄膜(4)，锰铜薄膜(2)可由掩模或光刻方法刻蚀出图形，直接覆盖于基板上或电极上，电极(3)为铜或复合金属薄膜，厚度为1-10μm，电极(3)为四引线单端引出的π形结构或两端引出的H形结构，直接覆盖于基板或锰铜薄膜上，基板(1)和绝缘薄膜(4)的材料为氧化铝或氧化镁或熔融石英，绝缘薄膜(4)的厚度为3-20μm。 | ||
| 申请公布号 | CN1131423C | 申请公布日期 | 2003.12.17 |
| 申请号 | CN01107159.1 | 申请日期 | 2001.02.22 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杨邦朝;杜晓松;周鸿仁;刘秀蓉;徐蓓娜 |
| 分类号 | G01L1/18;G01L5/14 | 主分类号 | G01L1/18 |
| 代理机构 | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人 | 冯忠亮 |
| 主权项 | 1、薄膜式锰铜超高压力传感器，其特征在于无机绝缘材料基板(1)上有沉积的锰铜薄膜(2)和电极(3)，锰铜薄膜(2)和电极(3)上覆盖有无机绝缘薄膜(4)，锰铜薄膜(2)可由掩模或光刻方法刻蚀出图形，直接覆盖于基板上或电极上，电极(3)为铜或复合金属薄膜，厚度为1-10μm，电极(3)为四引线单端引出的π形结构或两端引出的H形结构，直接覆盖于基板或锰铜薄膜上，基板(1)和绝缘薄膜(4)的材料为氧化铝或氧化镁或熔融石英，绝缘薄膜(4)的厚度为3-20μm。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 | ||