发明名称 |
曝光方法、曝光装置及器件制造方法 |
摘要 |
提供在用适合于批量处理的装置进行处理的基板上可防止累积工序误差、制造高品质的半导体装置的曝光方法。在半导体集成电路生产线1,精制的各感应基板,以CMP装置20的第1处理系统21及第2处理系统22每次研磨2片。表示各感应基板是用第1处理系统21及第2处理系统22中的哪一处理系统处理的感应基板处理信息,经通信线路40被传送到含曝光装置10的后段的处理装置。投入到曝光装置10的各精制的感应基板,由曝光装置10的多个处理系统分担、由各处理系统进行曝光处理,使得由CMP装置20的同一处理系统处理的感应基板能够由曝光装置10的两个处理系统11、12中的某个同一处理系统处理。 |
申请公布号 |
CN1461971A |
申请公布日期 |
2003.12.17 |
申请号 |
CN03130923.2 |
申请日期 |
2003.05.08 |
申请人 |
株式会社尼康 |
发明人 |
入江信行 |
分类号 |
G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
包于俊 |
主权项 |
1.一种曝光方法,其特征在于,利用具有多个处理系统的曝光装置使感应基板曝光,将掩膜上的图形复制到该感应基板上,对曝光处理前利用具有多个处理系统的处理装置实施规定处理的一系列的感应基板进行曝光处理时,将所述一系列的感应基板分配到所述曝光装置的所述多个处理系统进行曝光,以便所述以前处理时由所述处理装置的同一处理系统处理的感应基板由所述曝光装置的所述多个处理系统中的某个同一处理系统处理。 |
地址 |
日本东京 |