应力补偿的复合层可协变衬底及制备方法

摘要

一种制备外延晶体薄膜的方法，包括在衬底上形成应力补偿的复合层结构的可协变缓冲层，再在其上生长外延晶体的方法。其中复合层薄膜位于非晶层之上，复合层的两层薄膜材料的晶格常数分别大于和小于在其上生长的外延晶体的晶格常数。复合层通过晶体协变，两层薄膜将达到一个共同的晶格常数。适当选择复合层薄膜的材料，可以使共同的晶格常数匹配其上生长的外延薄膜。

主权项

1.一种晶体薄膜的生长方法，该方法包括在硅的晶体衬底上先形成非晶隔离层的界面层，在隔离层上形成晶格常数不同的复合结构缓冲层，并适当调整其厚度使其协变后平衡时的晶格常数和随后要生长的外延材料的晶格常数相匹配。