非易失存储器及其驱动方法

摘要

按照本发明的非易失存储器能够准确地读出包含在易受漂移现象影响的存储晶体管中的信息，因为在该存储晶体管上执行的电读是利用从刷新存储晶体管产生的参考电压进行的。此外，按照本发明，其间执行刷新操作的时间周期可以比以前长，这提高了存储在存储晶体管中的信息的可靠性。此外，阈值电压分布之间的间距能够被减小，这提高了多电平非易失存储器的集成度。

主权项

1.一种具有存储晶体管和参考存储晶体管的非易失存储器，包括：用于利用参考存储晶体管的阈值电压电读存储晶体管的阈值电压的读装置；用于在存储晶体管上执行电写，直到该存储晶体管的阈值电压高于第一参考电压的第一写装置；和用于在参考存储晶体管上执行电写，直到该参考存储晶体管的阈值电压高于第二参考电压的第二写装置。