| 摘要 |
一种具有高浓度碳掺杂物的半导体材料，其包括镓、铟、砷和氮。因为得到高浓度的碳掺杂物，所以揭示的半导体材料具有低的片电阻。此材料可以是基于砷化镓之异质接合双极电晶体的基极，并且可以藉由控制基极层中的铟和氮的浓度而晶格匹配于砷化镓射极层和／或集极层。基极层可以具有分级的能带间隙，其系在沉积用于降低能带间隙之III和V族添加物的期间，相对于代表该层整体之不同的III-V元素来改变流动速率而形成。沉积期间之III和V族添加元素的流动速率维持了基本上固定不变之掺杂×移动性的乘积值，并且可以调节此流动速率，以于所得电晶体的接合处获得预先选择的基极－射极电压。 |
