| 摘要 |
本发明系有关于多端子型金属氧化物半导体变容二极管之相关技术，其系在多端子型MOS变容二极管当中，将复数个电容器(C1-Cn)6-1~6-n之一方的端子连接于MOS电容器(Cf)5之浮动电极8。此外，系自复数个电容器(C1-Cn)6-1~6-n之他方端子(Vg1-Vgn)9-1~9-n而施加控制电压Vg1-Vgn。进而系自MOS电容器(Cf)5之阱侧的端子(Vn)11而施加控制电压。如此构成之多端子型MOS变容二极管，其任意的电容器(Cj)6-j之他方端子(Vgj)9-j之有效静电容量C，系藉由改变控制电压而能连续性地产生变化。该MOS变容二极管系能连续性地改变静电容量，并使用于振荡器时，即能控制其频率或感度。 |
