发明名称 自动对准之密集双极接面电晶体布置及制造其之方法
摘要 本发明系关于一种形成一双极接面电晶体(BJT)的制程,该双极接面电晶体包括在基板上形成一拓朴结构。接着,该制程便会在该拓朴结构处形成一分隔区。在该分隔区之上及该拓朴结构处,利用磊晶矽形成一基极层。以从该分隔区向外扩散的方式,于该基板中形成一漏电流阻隔结构。最后,该制程会以该基极层及该分隔区完成一双极接面电晶体。
申请公布号 TW200308086 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW091134275 申请日期 2002.11.26
申请人 英特尔公司 发明人 夏李雅 阿麦得;马克 波尔;史地芬 钱伯司;李察 葛林;阿南得 莫地
分类号 H01L29/70 主分类号 H01L29/70
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 美国