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发明名称
自动对准之密集双极接面电晶体布置及制造其之方法
摘要
本发明系关于一种形成一双极接面电晶体(BJT)的制程,该双极接面电晶体包括在基板上形成一拓朴结构。接着,该制程便会在该拓朴结构处形成一分隔区。在该分隔区之上及该拓朴结构处,利用磊晶矽形成一基极层。以从该分隔区向外扩散的方式,于该基板中形成一漏电流阻隔结构。最后,该制程会以该基极层及该分隔区完成一双极接面电晶体。
申请公布号
TW200308086
申请公布日期
2003.12.16
申请号
TW091134275
申请日期
2002.11.26
申请人
英特尔公司
发明人
夏李雅 阿麦得;马克 波尔;史地芬 钱伯司;李察 葛林;阿南得 莫地
分类号
H01L29/70
主分类号
H01L29/70
代理机构
代理人
林镒珠
主权项
地址
美国
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