发明名称 半导体记忆装置及半导体记忆装置之操作方法
摘要 一种磁阻性的半导体记忆体装置(10)被提出,其中磁场(H)可藉由磁场施用装置(40)施用于记忆体胞元(30),以使所欲磁化(M所欲)可被施用于作动的该记忆体胞元(30)的硬磁层(31h)。
申请公布号 TW200308085 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW092106845 申请日期 2003.03.26
申请人 亿恒科技股份公司 发明人 史特芬 武尔姆;西格弗里德 施瓦尔茨尔
分类号 H01L27/22 主分类号 H01L27/22
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国