发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本课题系提供一种具备可细微化之层内透镜的半导体装置。其包含配置于基板上之由透明材料构成的外层保护膜层;于该外层保护膜层上形成的突起;以该突起为核形成之由无机材料构成的凸形层内透镜;及于该层内透镜上形成之表面平坦的透明膜。
申请公布号 TW200308083 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW092102216 申请日期 2003.01.30
申请人 夏普股份有限公司 发明人 仲井 淳一;吾乡 富士夫
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本