薄膜记忆体,阵列,和其操作方法及制造方法

摘要

一种成形在全耗尽SOI或其它半导体薄膜上的记忆胞，在低电压操作且不需要提供知记忆胞阵列中的大电容器。半导体薄膜夹于第一与第二半导体区之间，第一与第二半导体区跨过半导体薄膜相互面对且具有第一导电类型。第三半导体区具有相反的导电类型，配置在半导体薄膜的延伸部。来自第三半导体区导电类型相反的载子供应给半导体薄膜部并积聚在其内，以改变由第一导电闸电压通过绝缘膜在夹于第一与第二半导体区间之半导体薄膜中感生之第一导电类型通道的闸临限电压。