发明名称 半导体元件及其制造方法,稽纳二极体,消费性电子产品
摘要 本发明系要揭露一种精密稽纳二极体,用以制造精密稽纳二极体之方法,及采用该稽纳二极体之消费性电子产品。稽纳二极体系由在半导体基板上成长磊晶层所制成的。该磊晶层之电阻率大于基板之电阻率。该二极体还具有掺杂半导体材料的导电性型式和基板相同之内部区域。此内部区域延伸穿过磊晶层,且进入基板层。该二极体还具有导电性型式不同于基板之接面层。此接面层系形成在磊晶表面,而接面层与内部区域形成内部P/N接面,而与元件的周边内部区域形成周边P/N接面。
申请公布号 TW200308089 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW092107893 申请日期 2003.04.07
申请人 飞柏科技有限公司 发明人 雷蒙J 艾玛仕奇
分类号 H01L29/70 主分类号 H01L29/70
代理机构 代理人 何金涂;李明宜
主权项
地址 美国
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