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发明名称
设有串联连接之防熔元件的半导体记忆装置
摘要
一种半导体记忆装置,包含位在行列中的记忆单元。各个记忆体是属于电容类型的,且包含一介电层的一部分。防熔元件系以一个串联着另一个的方式而连接在一电源电极与当一MOS晶体管处于导电状态时、呈接地态的一输出端子间。
申请公布号
TW200308091
申请公布日期
2003.12.16
申请号
TW092108762
申请日期
2003.04.15
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
佐甲隆
分类号
H01L29/772
主分类号
H01L29/772
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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