发明名称 设有串联连接之防熔元件的半导体记忆装置
摘要 一种半导体记忆装置,包含位在行列中的记忆单元。各个记忆体是属于电容类型的,且包含一介电层的一部分。防熔元件系以一个串联着另一个的方式而连接在一电源电极与当一MOS晶体管处于导电状态时、呈接地态的一输出端子间。
申请公布号 TW200308091 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW092108762 申请日期 2003.04.15
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 佐甲隆
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本