发明名称 机电三层接合装置之制法
摘要 兹描述制造一机电电路元件的方法。提供一具有下方支撑结构的下方结构及一下方导电元件。在下方结构之一上表面形成一奈米管带(或其他机电反应元件)以接触该下方支撑结构。在奈米管上形成一上方结构,该上方结构包括一上方支撑结构及一上方导电元件。于一些配置中,上方导电元件系与下方导电元件垂直对准,但于一些配置中并非如此。
申请公布号 TW200308057 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW091137562 申请日期 2002.12.27
申请人 奈特洛公司 发明人 鹿汤玛;沙贝特;布达伦
分类号 H01L21/8229 主分类号 H01L21/8229
代理机构 代理人 黄庆源
主权项
地址 美国