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发明名称
机电三层接合装置之制法
摘要
兹描述制造一机电电路元件的方法。提供一具有下方支撑结构的下方结构及一下方导电元件。在下方结构之一上表面形成一奈米管带(或其他机电反应元件)以接触该下方支撑结构。在奈米管上形成一上方结构,该上方结构包括一上方支撑结构及一上方导电元件。于一些配置中,上方导电元件系与下方导电元件垂直对准,但于一些配置中并非如此。
申请公布号
TW200308057
申请公布日期
2003.12.16
申请号
TW091137562
申请日期
2002.12.27
申请人
奈特洛公司
发明人
鹿汤玛;沙贝特;布达伦
分类号
H01L21/8229
主分类号
H01L21/8229
代理机构
代理人
黄庆源
主权项
地址
美国
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