| 主权项 |
1.一种可调色之发光装置,至少包含:一有机发光二极体,用以产生一短波长发光频谱;以及一平面化色转换层,该平面化色转换层系由一特定剂量比例所均匀掺合、调制的萤光材料,形成于该有机发光二极体之上,藉该萤光材料粒子之微观的光色混合效应,用以将该有机发光二极体的短波长发光频谱转换为一长波长发光频谱,以调变该有机发光二极体的发光颜色。2.如专利申请范围第1项之可调色之发光装置,其中该有机发光二极体至少包含一基板、一阴极层、一有机官能层、以及一阳极层。3.如专利申请范围第2项之可调色之发光装置,其中该有机发光二极体之有机官能层包含电子注入层、电子传递层、有机发光层、电洞传递层、以及电洞注入层。4.如专利申请范围第2项之可调色之发光装置,其中该有机发光二极体包含一保护层。5.如专利申请范围第2项之可调色之发光装置,其中该基板系选自塑胶、玻璃或半导体基板。6.如专利申请范围第1项之可调色之发光装置,其中该萤光材料系由至少一红、蓝、绿的三原色无机萤光材料所组成。7.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中该平面化色转换层尚包含一透明介质,该萤光材料系掺合于该透明介质之中。8.如申请专利范围第7项之可调色之发光装置,其中该透明介质系选自氧化矽、氧化钛或环氧树脂。9.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中该萤光材料之特定剂量比例,系由该长波长发光频谱依平衡不同三原色萤光材料发光效率之原理调制。10.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中形成该平面化色转换层于该有机发光二极体之上系藉湿式的涂布制程。11.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中形成该平面化色转换层于该有机发光二极体之上系藉乾式的沉积制程。12.如申请专利范围第11项之可调色之发光装置,其中的乾式沉积制程之萤光材料的特定剂量比例,系由平衡不同萤光材料的沉积速率差异的原理所决定,以形成该长波长发光频谱。13.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中该有机发光二极体的短波长发光频谱系紫外光或蓝光。14.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中该平面化色转换层的厚度实质上约小于1.4mm。15.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中该萤光材料系选自YBO3:Ce3+,Tb3+、SrGa2S4:Eu2+、Y2O2S:Eu3+,Bi3+、YAG:Ce3+、SrGa2O4:Eu2+、CaS:Eu所组成之群组。16.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中该长波长发光频谱为白光。17.如申请专利范围第1项之可调色之发光装置,其中该色转换层尚包含一封装层。18.如申请专利范围第17项之可调色之发光装置,其中该封装层系以压克力系树脂、氟系树脂、氮化矽薄膜或环氧系树脂所构成。图式简单说明:图一 系传统的发光有机面板之结构图示;图二A与二B 系另一种传统的发光有机发光面板之结构图示;图三A与图三E 系本创作的可调色之发光装置之结构示意图;以及图三B~三D 系本创作的有机发光二极体之结构示意图。 |
