| 主权项 |
1.一种形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一闸极结构,其中该闸极结构之顶部系形成有一顶盖层;在该闸极结构之侧壁形成一间隙壁;以该顶盖层以及该间隙壁为一蚀刻罩幕,在该间隙壁两侧之该基底中形成一开口;以及在该开口中形成一选择性薄膜以作为一源极/汲极。2.如申请专利范围第1项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中形成该选择性薄膜之方法包括一快速热制程化学气相沉积法(RTCVD)。3.如申请专利范围第2项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中进行该快速热制程化学气相沉积法之温度系为摄氏500度,且其压力系为1~20Torr。4.如申请专利范围第1项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该选择性薄膜包括一矽化锗层(Si1-XGeX)。5.如申请专利范围第4项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中形成该矽化锗层之一反应气体包括Si2H6/GeH4之混合气体或SiH2Cl2/GeH4之混合气体。6.如申请专利范围第5项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该反应气体中更包括加入B2H6。7.如申请专利范围第1项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该源极/汲极系为一浅接面源极/汲极。8.如申请专利范围第1项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中更包括在该源极/汲极上形成一金属矽化物层。9.如申请专利范围第8项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该金属矽化物层包括一矽化钴层(CoSix)或一矽化镍层(NiSix)。10.如申请专利范围第1项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该顶盖层之材质与该间隙壁之材质相同或不相同。11.一种形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一闸极结构,其中该闸极结构之顶部系形成有一顶盖层;在该闸极结构之侧壁形成一间隙壁;以该顶盖层以及该间隙壁为一蚀刻罩幕,以在该间隙壁两侧之该基底中形成一开口;在该开口中形成一选择性薄膜以作为一源极/汲极;移除该顶盖层,暴露出该闸极结构;以及在该闸极结构以及该源极/汲极上形成一金属矽化物层。12.如申请专利范围第11项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中形成该选择性薄膜之方法包括一快速热制程化学气象沉积法(RTCVD)。13.如申请专利范围第12项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中进行该快速热制程化学气相沉积法之温度系为摄氏500度,且其压力系为1~20Torr。14.如申请专利范围第11项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该选择性薄膜包括一矽化锗层(Si1-XGeX)。15.如申请专利范围第14项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中形成该矽化锗层之一反应气体包括Si2H6/GeH4之混合气体或SiH2Cl2/GeH4之混合气体。16.如申请专利范围第15项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该反应气体中更包括加入B2H6。17.如申请专利范围第11项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该源极/汲极系为一浅接面源极/汲极。18.如申请专利范围第11项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该金属矽化物层包括一矽化钴层(CoSix)或一矽化镍层(NiSix)。19.如申请专利范围第11项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该顶盖层之材质与该间隙壁之材质不相同。20.一种形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一闸极结构;在该闸极结构之侧壁形成一间隙壁;以该间隙壁为一蚀刻罩幕,在该间隙壁两侧之该基底中形成一开口;以及在该开口中形成一选择性薄膜以作为一源极/汲极,同时在暴露的该闸极结构之表面也会形成有该选择性薄膜。21.如申请专利范围第20项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中形成该选择性薄膜之方法包括一快速热制程化学气相沉积法(RTCVD)。22.如申请专利范围第21项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中进行该快速热制程化学气相沉积法之温度系为摄氏500度,且其压力系为1~20Torr。23.如申请专利范围第20项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该选择性薄膜包括一矽化锗层(Si1-XGeX)。24.如申请专利范围第23项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中形成该矽化锗层之一反应气体包括Si2H6/GeH4之混合气体或SiH2Cl2/GeH4之混合气体。25.如申请专利范围第24项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该反应气体中更包括加入B2H6。26.如申请专利范围第20项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该源极/汲极系为一浅接面源极/汲极。27.如申请专利范围第20项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中更包括在该选择性薄膜之表面形成一金属矽化物层。28.如申请专利范围第27项所述之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件的方法,其中该金属矽化物层包括一矽化钴层(CoSix)或一矽化镍层(NiSix)。图式简单说明:第1A图至第1C图为习知一种半导体元件的制造流程剖面示意图;第2A图至第2G图为依照本发明一较佳实施例之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件之流程剖面示意图;以及第3A图至第3E图为依照本发明另一较佳实施例之形成凹陷式源极/汲极接面之半导体元件之流程剖面示意图。 |
