| 主权项 |
1.一种用于制造永久性记忆体元件之储存单元的方法,系包含有:在半导体基板上形成蚀刻防止膜的步骤;与依序对该蚀刻防止膜和半导体基板的特定厚度施行部分蚀刻处理,而形成沟渠的步骤;与在其上面形成绝缘膜,而将该沟渠全部埋入的步骤;与对该绝缘膜施行回蚀处理,直到该蚀刻防止膜裸露出,而形成和该蚀刻防止膜具相同高度的元件分离膜的步骤;与去除该蚀刻防止膜的步骤;与在裸露出的半导体基板上形成浮置闸绝缘膜,在该浮置闸绝缘膜上形成浮置闸极用导电膜,而将该元件分离膜问的领域全部埋入的步骤;与对该浮置闸极用导电膜施行回蚀处理,直到该元件分离膜裸露出的步骤;与在经回蚀处理的浮置闸极用导电膜和元件分离膜上,依序形成控制闸绝缘膜和控制闸极用导电膜的步骤;与对该控制闸极用导电膜、控制闸绝缘膜、浮置闸极用导电膜及浮置闸绝缘膜施行蚀刻处理,而形具叠层构造的浮置闸极和控制闸极者。图式简单说明:第1图系典型的EEPROM或快闪记忆体的NOR型储存单元的等效回路示意图。第2图系典型的EEPROM或快闪记忆体的NAND型储存单元的等效回路示意图。第3A图系依照习知技术在NOR型和NAND型储存单元的制造时,使用的元件分离罩幕和浮置闸极罩幕的平面示意图。第3B图系依照习知技术在NOR型和NAND型储存单元的制造时,使用的浮置闸极罩幕和控制闸极罩幕的平面示意图。第4A图系本发明在NOR型和NAND型储存单元的制造时,使用的元件分离罩幕和浮置闸极罩幕的平面示意图。第4B图系依照习知技术在NOR型和NAND型储存单元的制造时,使用的浮置闸极罩幕和控制闸极罩幕的平面示意图。第5A~F图系依照本发明的实施例,为说明储存单元的制造方法,沿第4A图的X-X'线及Y-Y'线切剖的剖面示意图。第6A~F图系依照本发明的另一实施例,为说明储存单元的制造方法,沿第4A图的X-X'线及Y-Y'线切剖的剖面示意图。 |
