发明名称 电容器及其制造方法
摘要 一种电容器,其包含:一下部电极 12,其系形成在一基材10上;一绝缘薄膜16,其具有在该下部电极12上之开口24;一电容器介电薄膜30,其系形成在开口24内之下部电极12上并在开口24周围部分具有比开口中心部分较大的厚度;以及一上部电极 32,其系形成在该电容器介电薄膜30上。藉此,可抑制因电容器介电薄膜之覆盖所造成之开口24周围部分之崩溃电压与压力阻抗的降低。
申请公布号 TW565930 申请公布日期 2003.12.11
申请号 TW091122406 申请日期 2002.09.27
申请人 富士通昆腾装置股份有限公司 发明人 西真弘
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种电容器,其包含:一下部电极,其系形成在一基材上;一绝缘薄膜,其系形成在其上形成有该下部电极之该基材上,并在该下部电极上具有一开口;一电容器介电薄膜,其系形成在位于该开口内之该下部电极上,并在该开口之周围部具有比该开口之中心部为大的薄膜厚度;以及一上部电极,其系形成在该电容器介电薄膜上。2.一种电容器,其包含:一下部电极,其系形成在一基材上;一第一绝缘薄膜,其系形成在其上形成有该下部电极之基材上,并在该下部电极上具有一第一开口;一第二绝缘薄膜,其系形成在该第一绝缘薄膜上,并在该第一开口形成之区域具有一第二开口;一电容器介电薄膜,其系形成在位于该开口内之下部电极上,并延伸于该第二绝缘薄膜上方;以及一上部电极,其系形成在该电容器介电薄膜上。3.如申请专利范围第2项之电容器,其中,该第二开口系比该第一开口为大,且该第一绝缘薄膜之一上表面系曝露在该第二开口之周围部分。4.如申请专利范围第3项之电容器,其中,在形成该第二开口之区域内之该第一绝缘薄膜的薄膜厚度系比该第二绝缘薄膜下方之区域内者为薄。5.如申请专利范围第2项之电容器,其中,该第一开口与第二开口系形成在含有形成下部电极之区域的区域内;且其进一步包含:一形成在该下部电极之侧壁上的侧壁绝缘薄膜,该侧壁绝缘薄膜系由与该第一绝缘薄膜相同之绝缘薄膜所形成且与该第一绝缘薄膜分离开来。6.如申请专利范围第1项之电容器,其中,该第一绝缘薄膜系为一覆盖绝缘薄膜,其系覆盖形成在该基材上而不同与形成下部电极之区域的区域内的互连或电极。7.如申请专利范围第2项之电容器,其中,该第一绝缘薄膜系为一覆盖绝缘薄膜,其系覆盖形成在该基材上而不同与形成下部电极之区域的区域内的互连或电极。8.一种制造电容器的方法,其包含下列步骤:将一下部电极形成在一基材上;将一第一绝缘薄膜形成在其上形成有该下部电极之该基材上;将一第二绝缘薄膜形成于该第一绝缘薄膜上;形成一开口,其系到达在该第一绝缘薄膜与第二绝缘薄膜内之该下部电极;将一电容器介电薄膜形成于该下部电极上,并延伸于该第二绝缘薄膜上方;以及将一上部电极形成在该电容器介电薄膜上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中,在形成该开口的步骤中,该开口系在该第二绝缘薄膜内形成比在第一绝缘薄膜内之开口直径为大的开口直径。10.如申请专利范围第9项之方法,其中,形成该开口的步骤系包含在用于将一侧壁沈积薄膜形成在该蚀刻表面的条件下蚀刻该第二绝缘薄膜的步骤;以该第二绝缘薄膜与该侧壁沈积薄膜作为罩模蚀刻该第一绝缘薄膜的步骤;以及去除该侧壁沈积薄膜的步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中,在蚀刻该第二绝缘薄膜的步骤中,该侧壁沈积薄膜系藉由执行在含有碳成份气体之气氛内的蚀刻而形成。12.如申请专利范围第9项之方法,其中,形成该开口的步骤系包含蚀刻该第二绝缘薄膜的步骤;以该第二绝缘薄膜作为罩模蚀刻该第一绝缘薄膜的步骤;以及在含有等向蚀刻构成之条件下蚀刻该第二绝缘薄膜,藉此增加在该第二绝缘薄膜内之开口直径的步骤。13.如申请专利范围第10项之方法,其中,在蚀刻该第一绝缘薄膜的步骤中,该第一绝缘薄膜系在第一绝缘薄膜之蚀刻亦侧向进行的条件下进行蚀刻,藉此侧向后移该第一绝缘薄膜。14.如申请专利范围第12项之方法,其中,在蚀刻该第一绝缘薄膜的步骤中,该第一绝缘薄膜系在第一绝缘薄膜之蚀刻亦侧向进行的条件下进行蚀刻,藉此侧向后移该第一绝缘薄膜。15.如申请专利范围第13项之方法,其中,该侧壁沈积薄膜系被去除,藉此缓和该第一绝缘薄膜之侧向后移量。16.如申请专利范围第14项之方法,其中,该侧壁沈积薄膜系被去除,藉此缓和该第一绝缘薄膜之侧向后移量。17.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包含,在形成该第二绝缘薄膜的步骤后,形成一具有在该下部电极上方之开口之第三绝缘薄膜的步骤;且其中,形成该开口的步骤系包含在含有以该第三绝缘薄膜作为罩模之等向蚀刻构成的条件下蚀刻该第二绝缘薄膜的步骤;以及以该第三绝缘薄膜作为罩模蚀刻该第一绝缘薄膜的步骤。18.如申请专利范围第17项之方法,其中,在蚀刻该第一绝缘薄膜的步骤中,该蚀刻系在用于蚀刻该第一绝缘薄膜与第三绝缘薄膜的条件下执行,藉此形成该开口同时去除该第三绝缘薄膜。19.如申请专利范围第8项之方法,其中,在形成开口的步骤中,开口系形成在一含有使该下部电极形成于其内之区域的区域内。20.如申请专利范围第19项之方法,其中,在形成开口的步骤中,开口系被形成,同时该第一绝缘薄膜之侧壁绝缘薄膜系形成在该下部电极之侧壁上。图式简单说明:第1图系根据本发明第一实施例之电容器的概略截面图,其显示该电容器之一结构;第2A-2D图以及3A-3D图系根据本发明第一实施例之在制造方法之步骤中之电容器的截面图,其系显示方法;第4A-4B图系用于解说制造根据本发明第一实施例之电容器之方法的问题;第5图系根据本发明第二实施例之电容器的概略截面图,其显示该电容器之一结构;第6A-6C图以及7A-7C图系根据本发明第二实施例之在制造方法之步骤中之电容器的截面图,其系显示方法;第8A-8D图系根据本发明第三实施例之在制造方法之步骤中之电容器的截面图,其系显示方法;第9图系根据本发明第四实施例之电容器的概略截面图,其显示该电容器之一结构;第10A-10C图系根据本发明第四实施例之在制造方法之步骤中之电容器的截面图,其系显示方法;第11图系根据本发明第五实施例之电容器的概略截面图,其显示该电容器之一结构;第12A-12C图以及13A-13B图系根据本发明第五实施例之在制造方法之步骤中之电容器的截面图,其系显示方法;第14A-14C图以及15A-15B图系习知在制造方法之步骤中之电容器的截面图,其系显示方法。
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