| 主权项 |
1.一种锐化一角隅之制造方法,其包含:微影地图案化一角隅在一材料之上;基于该微影图案来选择性地移除部份的该材料,以得到定义该角隅之区域;及进一步移除相邻于该区域的部份之该材料来锐化该角隅。2.如申请专利范围第1项之方法,其中基于该微影图案选择性地移除部份的该材料包含使用一非等向蚀刻技术。3.如申请专利范围第1项之方法,其中微影地图案化该角隅包含应用一光阻材料。4.如申请专利范围第3项之方法,进一步包含在锐化该角隅之前自选择的区域中移除该光阻材料。5.如申请专利范围第1项之方法,其中进一步移除相邻于该区域的部份之该材料包含使用一等向蚀刻技术来锐化该角隅。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该材料包含一第一材料,该方法进一步包含:放置一第二材料在该区域中;及由该区域之外的区域中移除过剩的第二材料。7.如申请专利范围第6项之方法,其中移除过剩的第二材料包含使用一化学机械研磨技术。8.如申请专利范围第6项之方法,进一步包含放置一第三材料在该第二材料之上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中放置该第三材料在该第二材料之上,并放置该第二材料在该区域中,其包含使用一沉积技术。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一及第三材料包含覆盖材料,且其中该第二材料包含核心材料。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该角隅包含一积体光学装置的Y分支的部份。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该积体光学装置包含一波导。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该角隅包含一微电子机械结构(MEMS)装置,一光子结晶装置,或一光子能带隙装置之一的一部份。14.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含监视移除相邻于该区域的该部份的材料,是否已消耗充份的时间来锐化该角隅。15.如申请专利范围第14项之方法,其中监视移除相邻于该区域的该部份的材料包含:形成一具有柱的折射格栅,其具有与要锐化的角隅大体上相同的半径;以一光线照明该柱,并侦测自该柱绕射的光线;与移除相邻于该区域的部份的该材料同步地移除该柱;及决定是否已经消耗充份的时间来锐化该角隅,其系基于当其被移除时所侦测到自该柱绕射的光线。16.如申请专利范围第3项之方法,其中该角隅当该光阻在定位时被锐化。17.一种锐化一角隅之制造方法,其包含:微影地图案化沉积在一基板上一覆盖材料之上的一角隅;基于该微影图案,垂直地蚀刻该覆盖材料来选择性地移除部份的该覆盖材料来定义一圆角;及等向地蚀刻在该圆角处的该覆盖材料来锐化该圆角。18.如申请专利范围第17项之方法,进一步包含沉积一核心材料在一沟渠中,其相邻于该锐化角隅,系藉由该垂直蚀刻及藉由该等向蚀刻所形成。19.如申请专利范围第18项之方法,进一步包含沉积其它覆盖材料在该核心材料之上,其在一化学机械研磨处理之后,以移除沉积在该沟渠之外的过剩核心材料。20.如申请专利范围第17项之方法,进一步包含:同步地且利用该覆盖材料的该垂直蚀刻来形成柱,该柱的尺寸类似于该圆角的尺寸;及等向地且同步地与该圆角来蚀刻该柱,以基于自该柱绕射的光线来决定完成该锐化。21.如申请专利范围第17项之方法,其中微影地图案化该角隅包含使用一光阻。22.一种微装置,其包含:由一第一材料制成的角隅,其形成在一基板之上;及一相邻于该角隅之区域,其以不同于该第一材料的一第二材料制成,其中该角隅系由一蚀刻处理来制作以锐化该角隅。23.如申请专利范围第22项之微装置,其中该第一材料包含一覆盖材料,其中该第二材料包含一核心材料,且其中该覆盖及核心材料包含一光学波导的一部份。24.如申请专利范围第22项之微装置,其中该角隅及该区域包含一微电子机械结构(MEMS)之一部份。25.如申请专利范围第22项之微装置,其中该第二材料包含空气。26.如申请专利范围第22项之微装置,进一步包含形成在该角隅及区域之上的一第三材料。图式简单说明:图1所示为一积体光学装置的Y分支之上视图,其为比较根据本发明一具体实施例之锐化角隅与一圆角。图2所示为图1之Y分支的上视图,其为根据本发明一具体实施例的圆角之锐化。图3-8所示为横截面图,其为锐化该Y分支之圆角与形成图1-2之积体光学装置的处理流程。图9所示为一种用以监视锐化图1-8之Y分支的角隅之蚀刻的装置与方法的具体实施例之架构图。 |
