发明名称 适用于短波长曝光之光阻组成物以及光阻图案形成方法
摘要 一种光阻组成物,其包括:一种含有在单体单元支链具保护基之羧基的聚合物,聚合物不溶解于硷性水溶液而且在羧基的保护基从支链消除时变成可溶于硷性水溶液。该羧基的保护基如下式所示:其中R是氢原子或单键烃类,n是整数1到4,而R系接到除了酯键结的位置以外的位置。
申请公布号 TW565739 申请公布日期 2003.12.11
申请号 TW087106189 申请日期 1998.04.22
申请人 富士通股份有限公司 发明人 野崎耕司;矢野映
分类号 G03C1/72 主分类号 G03C1/72
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种光阻组成物,其包含:一聚合物,其在一单体单元之一支链处含有一个具一保护基团之羧基基团,该聚合物不溶解于硷性水溶液,而在该羧基的保护基团从支链被移除时变成可溶于硷性水溶液,该羧基基团的保护基团如下式所示:其中n是一个1到4之整数,R系择自于由一由烷基、一烷氧基或一烷氧基羰基基团所组成之群组,或当n为1时,R为氢;并且R系接到一除了酯键结的位置以外的位置,其中该键结位置并未为一取代基所取代;其中欲聚合之聚合物的单体单元为一种单体单元,其系选自于由下述单体单元所构成之群组:一丙烯酸聚合物单体单元、一异丁烯酸酯聚合物单体单元、一乙烯酚聚合物单体单元、一经N-取代的马来醯亚胺聚合物单体单元、及一苯乙烯聚合物单体单元;且其中欲聚合之聚合物的单体单元进一步具有一含有一聚环及脂环烃单元之一酯基基团的单体单元。2.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中聚环及脂环烃单元包括一金刚烷基或一原冰片烯基基团。3.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其包含至少一种溶剂,该溶剂系选自于由乳酸乙酯、甲基戊基酮、丙酸甲基-3-甲氧酯、丙酸乙基-3-乙氧酯及醋酸丙二醇单甲醚酯所组成之群组;其更包含至少一种溶剂,该溶剂系选自于由醋酸丁酯、-丁内酯及丙二醇甲基醚所组成之群组;以及一种照光即缓慢地产生酸的光酸产生剂;其中该光阻组成物在一波长范围为180至300毫微米之深紫外线的吸光率为1.6或更小;以及其中欲聚合之聚合物的单体单元在一单体单元支链处具有一羧基基团,该羧基基团含有另一保护基团及能够藉由一以光酸产生剂产生之酸的反应来移除,该另一保护基团以下式代表:其中R1是一含有一到四个碳原子之一直链或支链之烷基,或一烷基的取代基,以及Z一是与接到R1之碳原子一起构成一脂环烃基基团的原子团。4.一种形成光阻图案之方法,其包含下列步骤:将一光阻组成物施加于一基材上以形成一光阻薄膜,该光阻组成物包含:含有在一单体单元支链具一保护基团之羧基基团的聚合物、该聚合物不溶解于硷性水溶液,而且当该之羧基基团的该保护基团从该支链被移除时,该聚合物变成可溶于硷性水溶液,该羧基基团的该保护基团如下式所示:其中R是一氢原子或单键结的烃基基团,n是一个1到4之整数,及R系接到一除了酯键结的位置以外的位置;以及一照光即惰性地产生酸的光酸产生剂;任择地以能够使光酸产生剂分解的光曝照该光阻薄膜;及以一硷性水溶液显影经曝光的光阻薄膜;其中该光阻组成物在一波长180到300毫微米之深紫外线范围的吸光率为1.6或更小;且其中欲聚合之聚合物的单体单元在一单体单元支链处具有一羧基基团,该羧基基团含有另一保护基团及能够藉由以光酸产生剂产生之酸的反应来消除,该另一保护基团如下所示:其中R1是一含有一到四个碳原子之一直链或支链之烷基,或一烷基的取代基,以及Z一是与接到R1之碳原子一起构成一脂环烃基基团的原子团。
地址 日本