| 主权项 |
1.种可使结构强化之半导体装置,包括:一基板;一输出入区域,设置于该基板上,具有复数层第一内连线;一垫片区域,设置于该基板上,具有复数层第二内连线,且与该输出入区域之间具有一氧化层;两连接线,穿过该氧化层,且连接该等第一内连线和该等第二内连线;以及一支撑层,设置于该氧化层中,其中该等连接线位于该基板和该支撑层之间。2.如申请专利范围第1项所述的可使结构强化之半导体装置,其中该支撑层与该第二内连线连接。3.如申请专利范围第2项所述的可使结构强化之半导体装置,其中该支撑层系延伸入该等第一内连线之间。4.如申请专利范围第2项所述的可使结构强化之半导体装置,其中部分该等第一内连线朝该输出入区域内缩而形成一第一内缩部,且该支撑层延伸入该第一内缩部中。5.如申请专利范围第1项所述的可使结构强化之半导体装置,其中该支撑层与该第一内连线连接。6.如申请专利范围第5项所述的可使结构强化之半导体装置,其中该支撑层系延伸入该等第二内连线之间。7.如申请专利范围第5项所述的可使结构强化之半导体装置,其中部分该等第二内连线朝该垫片区域内缩而形成一第二内缩部,且该支撑层延伸入该第二内缩部中。8.如申请专利范围第1项所述的可使结构强化之半导体装置,其中该支撑层分别延伸入该等第一内连线之间以及该等第二内连线之间。9.如申请专利范围第1项所述的可使结构强化之半导体装置,其中部分该等第一内连线朝该输出入区域内缩而形成一第一内缩部,且部分该等第二内连线朝该垫片区域内缩而形成一第二内缩部,而该支撑层分别延伸入该第一内缩部和该第二内缩部中。10.一种可使结构强化之半导体装置之制造方法,包括:提供一晶圆,将该晶圆定义一输出入区域、一支撑区域、以及一垫片区域;在该晶圆上形成一第一金属层;在该第一金属层上形成一第一氧化层;以及在该第一氧化层上形成一第二金属层,并将该第二金属层定义形成一第一内连线、一支撑层、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该支撑层位于该支撑区域中,该第二内连线位于该垫片区域中。11.如申请专利范围第10项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该第一内连线与该支撑层连接。12.如申请专利范围第11项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层延伸入该垫片区域中。13.如申请专利范围第10项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该第二内连线与该支撑层连接。14.如申请专利范围第13项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层延伸入该输出入区域中。15.如申请专利范围第10项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层延伸入该输出入区域以及该垫片区域中。16.如申请专利范围第10项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,更包括:在该第二金属层上形成一第二氧化层;以及在该第二氧化层上形成一第三金属层,并将该第三金属层定义形成一第一内连线、一支撑层、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该支撑层位于该支撑区域中,该第二内连线位于该垫片区域中。17.如申请专利范围第10项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,更包括:在该第二金属层上形成一第二氧化层;在该第二氧化层上形成一第三金属层,且在该第三金属层上形成一通孔,以将该第三金属层定义形成一第一内连线、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该第二内连线位于该垫片区域中;在该第三金属层上形成一第三氧化层,其中该第三氧化层填满该第三金属层之通孔;在该第三氧化层上形成一第四金属层,且在该第四金属层上形成一通孔,以将该第四金属层定义形成一第一内连线、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该第二内连线位于该垫片区域中;在该第四金属层上形成一第四氧化层,其中该第四氧化层填满该第四金属层之通孔;以及在该第四氧化层上形成一第五金属层,并将该第五金属层定义形成一第一内连线、一支撑层、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该支撑层位于该支撑区域中,该第二内连线位于该垫片区域中。18.一种可使结构强化之半导体装置之制造方法,包括:提供一晶圆,将该晶圆定义一输出入区域、一支撑区域、以及一垫片区域;在该晶圆上形成一第一金属层;在该第一金属层上形成一第一氧化层;在该第一氧化层上形成一第二金属层,且在该第二金属层上形成一通孔,以将该第二金属层定义形成一第一内连线、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该第二内连线位于该垫片区域中;在该第二金属层上形成一第二氧化层,其中该第二氧化层填满该通孔;以及在该第二氧化层上形成一第三金属层,并将该第三金属层定义形成一第一内连线、一支撑层、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该支撑层位于该支撑区域中,该第二内连线位于该垫片区域中。19.如申请专利范围第18项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层与该第三金属层之第一内连线连接。20.如申请专利范围第19项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层延伸入该垫片区域中。21.如申请专利范围第18项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层与该第三金属层之第二内连线连接。22.如申请专利范围第21项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层延伸入该输出入区域中。23.如申请专利范围第18项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,其中该支撑层延伸入该输出入区域以及该垫片区域中。24.如申请专利范围第18项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,更包括:在该第三金属层上形成一第三氧化层;以及在该第三氧化层上形成一第四金属层,并将该第四金属层定义形成一第一内连线、一支撑层、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该支撑层位于该支撑区域中,该第二内连线位于该垫片区域中。25.如申请专利范围第18项所述的可使结构强化之半导体装置之制造方法,更包括:在该第三金属层上形成一第三氧化层;在该第三氧化层上形成一第四金属层,且在该第四金属层上形成一道孔,以将该第四金属层定义形成一第一内连线、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该第二内连线位于该垫片区域中;在该第四金属层上形成一第四氧化层,其中该第四氧化层填满该第四金属层之通孔;在该第四氧化层上形成一第五金属层,且在该第五金属层上形成一通孔,以将该第五金属层定义形成一第一内连线、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该第二内连线位于该垫片区域中;在该第五金属层上形成一第五氧化层,其中该第五氧化层填满该第五金属层之通孔;以及在该第五氧化层上形成一第六金属层,并将该第六金属层定义形成一第一内连线、一支撑层、以及一第二内连线,其中该第一内连线位于该输出入区域中,该支撑层位于该支撑区域中,该第二内连线位于该垫片区域中。图式简单说明:第1a图系为习知半导体装置之示意图;第1b图为沿第1a图中的线b-b的剖面图;第2图系为本发明之可使结构强化之半导体装置之第一实施例之示意图;第3a-3e图系为第2图中之半导体装置之制造方法之示意图;第4图系为第2图中之半导体装置之变形例之示意图;第5图系为本发明之可使结构强化之半导体装置之第二实施例之示意图;第6a-6e图系为第5图中之半导体装置之制造方法之示意图;第7图系为本发明之可使结构强化之半导体装置之第三实施例之示意图;第8图系为第7图中之半导体装置之制造方法之示意图;第9图系为本发明之可使结构强化之半导体装置之第四实施例之示意图;以及第10图系为第9图中之半导体装置之制造方法之示意图。 |
