发明名称 彩色阴极射线管
摘要 在一彩色阴极射线管中,藉着最佳化一边角部份的外曲率半径与内曲率半径,一长边厚度,一短边厚度,该边角部份的厚度,面板总长度,漏斗本体总长度,以及决定该漏斗轭部截面形状之该轭部的长度,则集中在该轭部的应力将可被减少。此外,随着该轭部边角部份之内曲率半径的增加,电子束的撞击现象将会减少,而藉着减少发生在真空漏斗上之高应力,将可改善制造过程中的耐冲击性及产能。
申请公布号 TW565870 申请公布日期 2003.12.11
申请号 TW091111532 申请日期 2002.05.30
申请人 LG 飞利浦显示器股份有限公司 发明人 白宰承
分类号 H01J29/86 主分类号 H01J29/86
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种彩色阴极射线管,其包含一面板具有一内部萤光面,一漏斗设在该面板内部并呈真空密封,一电子枪可发出一电子束来投射在该萤光面上,一屏板可使该电子束投射在该萤光面的预定部份,一框可固定撑持该屏板,一弹簧可结合该框总成与面板,一内护罩设在该框之一边而由面板侧延伸至漏斗侧,可保护该阴极射线管对抗外部的地磁场,该电子枪系设在该漏斗的颈部内面而可产生一电子束,一偏转轭设在该漏斗颈部的外表面,而可将该电子枪发出的电子束偏转至一预定方向,一会聚与纯度磁铁(CPM)可精确调整该电子束的偏转方向,及一补强带设在该面板接合漏斗处的外周缘上,而可保护该面板与漏斗免受空气压力及外部冲击所损坏;其中该轭部的截面系呈四边形,其边角部份具有预定的曲率半径,当该边角部份的外曲率半径为Rdo,而内曲率半径为Rdi时,将会满足Rdi/Rdo>0.775的条件。2.如申请专利范围第1项之彩色阴极射线管,其中将对角有效表面末端连接至基准线在管轴上的交叉点之一直线与该管轴的角度系为50~70。3.如申请专利范围第1项之彩色阴极射线管,其中该Rdi与Rdo之关系满足0.9<Rdi/Rdo<1.1的条件。4.如申请专利范围第1项之彩色阴极射线管,其中该彩色阴极射线管满足7<Rdo<13的条件。5.如申请专利范围第1项之彩色阴极射线管,其中该彩色阴极射线管在由面板内面至管轴上之基准线的距离为L,由面板内面至漏斗轭线的距离为L1,由面板内面至漏斗颈线的距离为L2,及萤幕对角长度的一半系为D时,会满足下列条件:L1+(L2-L1)0.45≦L≦L1+(L2-L1)0.55,及Tan-1(D/L)>1。6.如申请专利范围第5项之彩色阴极射线管,其中该彩色阴极射线管满足Tan-1(D/L)>1.15的条件。7.如申请专利范围第3项之彩色阴极射线管,其中Rdi/Rdo=1。8.一种彩色阴极射线管,其包含一面板具有一内部萤光面,一漏斗设在该面板内部并呈真空密封,一电子枪可发出一电子束来投射在该萤光面上,一屏板可使该电子束投射在该萤光面的预定部份,一框可固定撑持该屏板,一弹簧可结合该框总成与面板,一内护罩设在该框之一边而由面板侧延伸至漏斗侧,可保护该阴极射线管对抗外部的地磁场,该电子枪系设在该漏斗的颈部内面而可产生一电子束,一偏转轭设在该漏斗颈部的外表面,而可将该电子枪发出的电子束偏转至一预定方向,一会聚与纯度磁铁(CPM)可精确调整该电子束的偏转方向,及一补强带设在该面板接合漏斗处的外周缘上,而可保护该面板与漏斗免受空气压力及外部冲击所损坏;其中该轭部的截面造型系为四边形,而在其边角部份具有预定的曲率半径,当该面板的长度为PL,由面板与漏斗结合处之密封线至该漏斗轭线在管轴上的距离为BL,由该轭线至颈线在管轴上的距离为YL,该轭部边角部份的厚度为Dt,轭部长边的厚度为Lt,轭部短边的厚度为St时,其会满足下列条件:0.6≦PL/BL≦1.6,及Dt≧3。9.如申请专利范围第8项之彩色阴极射线管,其中将对角有效表面末端连接至基准线在管轴上的交叉点之一直线与该管轴的角度系为50~70。10.如申请专利范围第8项之彩色阴极射线管,其中该彩色阴极射线管满足Dt≦St及Dt≦Lt的条件。11.如申请专利范围第8项之彩色阴极射线管,其中该彩色阴极射线管满足St>4及Dt>4的条件。12.如申请专利范围第8项之彩色阴极射线管,其中该彩色阴极射线管满足0.8≦PL/BL≦1.3的条件。13.如申请专利范围第8项之彩色阴极射线管,其中该彩色阴极射线管满足BL≦YL的条件。图式简单说明:第1图为一普通CRT的结构图;第2图为一面板与漏斗玻璃之主要部份的示意图;第3图为一示意图示出习知CRT内部在真空时的应力分布;第4图为一示意图示出在习知漏斗轭部上的应力分布;第5图示出该习知漏斗轭部上之最大应力値;第6图示出本发明之一漏斗轭部的造型;第7A图为本发明之主要部份的示意图;第7B图为本发明之主要部份的示意图;第8图系示出施加于一Rdi/Rdo値之轭部边角部份的伸张应力;第9A图为一图表示出依据Rdi/Rdo値的可塑性;第9B图为一图表示出依据Rdi/Rdo仅在一热处理中的破裂率;第10A图为一图表示出伸张应力依循Rdo与Dt之减降;第10B图亦示出伸张应力依循Rdo与Dt之减降;及第11图系示出发生于本发明之漏斗轭部的最大应力値。
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