| 主权项 |
1.一种记忆储存装置,包含:一储存媒体具有多数有效区,该各有效区皆设有一储存区,该各储存区系可被形成多种结构状态中之一种代表储存于该储存区中之资讯的状态;多数的电子束发射器乃可与该储存媒体电导通,该储存媒体与该等发射器系可相对移动,而使该各发射器能对该储存媒体之一对应有效区提供一电子束;一第一电源系能使至少一发射器对一对应的有效区提供一电子束;及一屏蔽物设在该等发射器附近,系可消减一磁场的影响,俾减少一发射器所发出之电子由一预定轨迹偏移的倾向。2.如申请专利范围第1项之记忆储存装置,其中该屏蔽物系被设在该储存媒体相反于该等发射器的一侧上。3.如申请专利范围第1项之记忆储存装置,其中该屏蔽物乃包含一第一屏蔽构件及一第二屏蔽构件,而该等发射器及储存媒体系被设在该第一屏蔽构件与第二屏蔽构件之间。4.如申请专利范围第1项之记忆储存装置,其中该屏蔽物系由具有大于约100(cgs)之相对导磁率的材料制成者。5.如申请专利范围第1项之记忆储存装置,其中该屏蔽物系由具有大于约200(cgs)之相对导磁率的材料制成者。6.如申请专利范围第1项之记忆储存装置,更包含:一稳定化层邻设于该屏蔽物之至少一部份,乃能与该屏蔽物形成交换耦合,而使该交换耦合能减少该屏蔽物呈显多数磁区的倾向。7.如申请专利范围第1项之记忆储存装置,更包含:可减少该屏蔽物呈显多数磁区之倾向的装置。8.一种可减少一磁场对一记忆储存装置之影响的方法,该方法包含下列步骤:提供一记忆储存装置其具有一储存媒体及多数电子束发射器可与该储存媒体电导通,该储存媒体与发射器等系可相对移动,而使各发射器能提供一电子束于该储存媒体之一对应有效区中,该各有效区皆具有一储存区设于其内,乃可被形成多种结构状态中之一种代表被储存于该储存区中之资讯的状态;及屏蔽由该等发射器所提供的电子来隔绝一磁场,俾使从一发射器所发射之电子由一预定轨迹偏移的倾向能被消减。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该屏蔽步骤乃包含:设置一屏蔽物于该等发射器附近,而该屏蔽物系可消减该磁场的影响者。10.如申请专利范围第9项之方法,其中设置该屏蔽物的步骤乃包含:将该屏蔽物黏接于该储存媒体。图式简单说明:第1图为本发明之记忆储存装置一较佳实施例的示意图。第2图乃示出第1图中之记忆储存装置实施例,其发射器由储存媒体读取资料的示意图。第3图系示出被一磁场影响之一代表性电子的轨迹。第4图示出第1图中的记忆储存装置之一实施例,其发射器由储存媒体读取资料的示意图。第5图为第1图中的记忆储存装置之一较佳实施例的示意图。第6图系沿第5图之A-A截面的剖视示意图。第7图为第1图的记忆储存装置之一实施例的示意图。第8图为第1图的记忆储存装置之一实施例的示意图。第9图为第1图的记忆储存装置之一实施例的示意图。第10图为第1图的记忆储存装置之一实施例的示意图。 |
