发明名称 液料蒸发装置及气体喷出装置
摘要 本发明乃提供一种小型蒸发器系统,以从液体进料中制造高品质的蒸气进料,传送到化学蒸气沉积制程室中,制造以如BaTiO3和其他此类材料为基础之高介电或铁电材料之薄膜元件。该蒸发装置包括贮存液体进料之进料槽;经由进料传送路径输送液体进料之进料传送装置;设于传送路径中之蒸发器组件系包含具有输送液体进料之毛细管之高温热交换器和外部式加热毛细管之热源;以及设于蒸发器组件上游之防止蒸发组件,用以防止在防止蒸发组件内之液体进料受蒸发器组件之加热作用。
申请公布号 TW565626 申请公布日期 2003.12.11
申请号 TW086117253 申请日期 1997.11.19
申请人 荏原制作所股份有限公司 发明人 堀水邦明;铃木秀直;中田勉;栗山文夫;村上武司;阿部士;荒木裕二
分类号 C23C16/40 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人 陈灿晖﹝已殁﹞ 台北市中正区武昌街一段六十四号八楼;洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种将液体进料转化成蒸气进料之蒸发装置,包括:用以流动该液体进料之液体进料传送路径;在该液体进料传送路径上之防止蒸发组件,用以防止流经该液体进料传送路径之液体进料蒸发;位于该液体进料传送路径下游之蒸发路径,该蒸发路径之热接受面积为该蒸发路径内每1mm3体积液体进料具有至少2mm2之热接受面积且包含具环状横剖面之环状部份;及在该蒸发路径上供加热该蒸发路径之加热组件。2.如申请专利范围第1项之蒸发装置,其中蒸发路径包含含窄流动通道之蒸发促进区域,且包含含宽流动通道之压力缓冲区城,该蒸发促进区域相邻于该压力缓冲区域。3.如申请专利范围第1项之蒸发装置,其中该加热组件系排列在该蒸发路径而可自该蒸发路径内部之位置及自该蒸发路径外部之位置,对该蒸发路径提供热。4.如申请专利范围第1项之蒸发装置,其中具有环状横剖面之环状部份包含外管及实于该外管内之芯构件。5.如申请专利范围第4项之蒸发装置,其中该芯构件具有内部加热装置。6.如申请专利范围第1项之蒸发装置,其中该加热组件包括围绕该蒸发路径而用以接收其内之热流体介质之罩构件。7.如申请专利范围第6项之蒸发装置,其中该罩构件包含用以供应该热流体介质之热介质通道。8.如申请专利范围第6项之蒸发装置,其中该加热构件包含邻置于该蒸发路径之加热器组件。9.如申请专利范围第1项之蒸发装置,其中该防止蒸发组件系架构成防止该蒸发路径中产生之热影响该防止蒸发组件中之液体进料。10.如申请专利范围第9项之蒸发装置,其中该防止蒸发构件包含排列成形成障壁之绝缘材料,而防止热自该蒸发路径流入该防止蒸发组件中。11.如申请专利范围第10项之蒸发装置,其中该防止蒸发组件又包含用以维持该防止蒸发组件中液体进料在恒定温度之低温热交换器。12.如申请专利范围第1项之蒸发装置,其中该环状部份包含具有内部加热装置及温度感测器之芯构件。13.如申请专利范围第1项之蒸发装置,又包括位于该蒸发路下游之蒸气沈积室,该蒸气沈积室包含蒸气进料喷射装置。图式简单说明:第1图为以根据本发明之第一实施例之蒸发装置为基础之薄膜沉积系统整体示意图。第2A图为第1图所示之蒸发器加热组件之横剖面图。第2B图为相同物之另一实例。第3A和3B图为蒸发器加热组件之其他实例。第4图为本发明蒸发器组件实施例之横剖面图。第5A~5D图为蒸发器组件其他实例之横剖面图。第6A和6B图为蒸发器组件又其他实例之横剖面图。第7A和7B图为蒸发器组件另外实例之横剖面图,及第7C图系关于一种对照装置。第8A和8B图为蒸发器组件又另外实例之横剖面图。第9图为从第8A图A-A平面所视之横剖面图。第10A和10B图为蒸发器组件中锥形芯组件之横剖面图。第11A图为芯式蒸发器组件之纵向横剖面,及第11B~11C为其横向横剖面图。第12图为蒸发器组件另一实施例之横剖面图。第13A和13B图为第12图所示蒸发器组件经平面A-A之横向剖面图。第14图为蒸发器组件之另一加热器型式。第15A图为另一种芯式蒸发器组件之纵向横剖面图,及第15B~15C图为其横向横剖面图。第16A和16B图为可动之芯式蒸发器组件之横剖面图。第17A和17B图为可移开之芯式蒸发器组件之横剖面图。第18A和18B图为另一种可移开之芯式蒸发器组件之横剖面图。第19图为另一种可动之芯式蒸发器组件之横剖面图。第20图为多孔式芯蒸发器组件之横剖面图。第21图为具有物质进入喷嘴之芯构件另一实例之横剖面图。第22图为本发明气体喷头之整体示意图。第23图为本发明之另一气体喷头之整体示意图。第24图为本发明化学蒸气沉积装置之示意图。第25图为本发明另一化学蒸气沉积装置之示意图。第26图为液体进料中气体溶解装置之实例。第27图为液体进料中气体溶解装置之另一实例。第28图为气体溶解装置之另一实例。第29图为气体溶解装置之另一实例。第30图为气体溶解装置之另一实例。第31图为本发明气体喷出装置之横剖面图。第32图为本发明另一气体喷出装置之横剖面图。第33图为本发明气体喷出装置另一实例之横剖面图。第34图为化学蒸气相沉积装置所用材料之位相说明示意图。
地址 日本