| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Fotomasken für die Strukturierung von Halbleitern. Dabei wird ein Resist verwendet, welcher ein Polymer mit siliziumhaltigen Gruppen enthält. Bei der Strukturierung in einem sauerstoffhaltigen Plasma werden die Siliziumatome in Siliziumdioxid umgewandelt, das unter dem Siliziumdioxid angeordnete Bereiche des Absorbers vor einem Abtrag durch das Plasma schützt.</p> |
