| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Plasmaangeregtes chemisches Gasphasenabscheide-Verfahren (PECVD) zum Abscheiden von Siliziumnitrid bzw. Siliziumoxinitrid, ein Verfahren zum Herstellen einer Schicht-Anordnung und eine Schicht-Anordnung. Bei dem Plasmaangeregten chemischen Gasphasenabscheide-Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid auf einem Substrat werden Silan, Ammoniak und Stickstoff als Precursoren verwendet, wird das Flussratenverhältnis von Silan zu Ammoniak zwischen 1:20 und 6:5 eingestellt und wird das Flussratenverhältnis zwischen Silan und Stickstoff zwischen 1:40 und 3:5 eingestellt.</p> |
