Ätzprozeß für eine Dual Damascene Strukturierung einer Isolierschicht auf einer Halbleiterstruktur

摘要

Die Erfindung betrifft einen Ätzprozeß für eine Zweischicht-Metallisierung bzw. Dual Damascene Strukturierung, der einfach und kostengünstig auszuführen ist und mit dem sicher verhindert wird, daß sich während des Ätzprozesses im Bereich der Polymer-Zwischenschicht Fences bilden. Erfindungsgemäß erfolgt das dadurch, daß das Ätzen der Oxidschicht und der Polymer-Zwischenschicht für die Dual Damascene Strukturierung durch einen CF¶4¶ ARC Open Prozeß mit hoher Selektivität zum Photoresist mit verlängerter Ätzzeit erfolgt.