| 发明名称 |
Magnetischer Direktzugriffsspeicher |
| 摘要 |
Hier wird ein magnetischer Direktzugriffsspeicher (MRAM) unter Verwendung einer gemeinsamen Leitung beschrieben. Auf der gemeinsamen Leitung des MRAM ist ein MTJ-Element positioniert. Die mit der Source eines Transistors verbundene gemeinsame Leitung überträgt eine Massepegelspannung zum Lesen von Daten, und sie liefert einen Strom zum Schreiben von Daten.
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| 申请公布号 |
DE10261432(A1) |
申请公布日期 |
2003.12.11 |
| 申请号 |
DE20021061432 |
申请日期 |
2002.12.30 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON |
发明人 |
JANG, IN WOO;PARK, YOUNG JIN;LEE, KYE NAM;KIM, CHANG SHUK;KYUNG, HEE |
| 分类号 |
G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/22;H01L43/08;(IPC1-7):H01L27/22 |
主分类号 |
G11C11/15 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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