| 摘要 |
<p>L'invention concerne un élément électroluminescent à base de GaN et son procédé de fabrication. Ce procédé consiste à former, sur un substrat (10), une couche tampon de SiN (12), une couche tampon de GaN (14), une couche de GaN non dopée (16), une couche de GaN-n dopée Si (18), une couche SLS (20), une couche de GaN non dopée (22), une couche électroluminescente à puits quantiques multiples (24), une couche SLS (26), et une couche GaN-p (28), formant une électrode p (30) et une électrode n (32). La couche électroluminescente à puits quantiques multiples (24) est composée de couches de puits de InGaN et de couches limites de AlGaN en alternance. La teneur en Al des couches SLS (20, 26) est supérieure à 5 % et inférieure à 24 %. La teneur en In de la couche de puits de la couche électroluminescente à puits quantiques multiples (24) est supérieure à 3 % et inférieure à 20 %. La teneur en Al de la couche limite est supérieure à 1 % et inférieure à 30 %. En adaptant la teneur et l'épaisseur de chaque couche, on améliore le rendement lumineux pour des longueurs d'ondes inférieures à 400 nm.</p> |
