Ein verbessertes Verfahren zum Elektroplattieren von Kupfer auf einer strukturierten dielektrischen Schicht

摘要

In einem neuen Verfahren zum Elektroplattieren von Metall auf eine strukturierte dielektrische Schicht mit Kontaktöffnungen mit kleinem Durchmesser und Gräben mit großem Durchmesser wird eine Pulsinversionselektroplattierungssequenz mit einer 2-Komponenten-Chemie so modifiziert, um im Wesentlichen die Kontaktöffnungen zu füllen, während in einer anschließenden Gleichstromabscheidung der wesentliche Materialanteil abgeschieden wird, um die Gräben mit großem Durchmesser vollständig zu füllen. Somit wird eine gute Kontrollqualität im Vergleich zu dem herkömmlichen Elektroplattieren mit einer 3-Komponenten-Chemie erreicht, wobei die überlegenen Eigenschaften einer Metallschicht, die mittels einer 2-Komponenten-Chemie abgeschieden wird, erhalten bleiben. Das Verfahren ist besonders vorteilhaft bei der Elektroplattierung von Kupfer.