Halbleitervorrichtung mit verbesserter Zuverlässigkeit eines auf der Hauptoberfläche eines Substrats gebildeten isolierenden Films

摘要

Durch einen Ionenimplantationsvorgang werden P-Verunreinigungen für die Elementtrennung mit einer Verunreinigungskonzentration (P1) in eine Siliziumschicht (3), die durch die Bodenfläche eines Elementtrennungs-Isolationsfilms (5a) und die Deckfläche einer BOX-Schicht (2) begrenzt wird, implantiert. Durch diese Implantation werden P-Verunreinigungen mit einer Verunreinigungskonzentration (P2) in die Siliziumschicht (3) unter einem Gateoxidfilm (7a) und in die Umgebung einer Grenzfläche zwischen der Siliziumschicht (3) und der BOX-Schicht (2) implantiert. Unter einem Kondensator-Dielektrikumsfilm (7b) und in der Umgebung einer Grenzfläche zwischen der Siliziumschicht (3) und der BOX-Schicht (2) weist die Siliziumschicht (3) eine Verunreinigungskonzentration (P0) auf, die gleich ihrer anfänglichen Konzentration ist.