| 发明名称 | 高介电常数Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷的连续调控功率激光制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高介电常数Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm<SUP>2</SUP>连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm<SUP>2</SUP>，开始烧结；经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。 | ||
| 申请公布号 | CN1460657A | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN03148244.9 | 申请日期 | 2003.07.04 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 蒋毅坚;季凌飞 |
| 分类号 | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/46;H01B3/12 | 主分类号 | C04B35/495 |
| 代理机构 | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 1、一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：(1)采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm2连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm2，开始烧结；(2)经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；(3)激光关光，样品冷却成瓷。 | ||
| 地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 | ||