| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体发光元件，该元件包括在其间保留特定距离的第一DBR和第二DBR形成谐振器，且单量子阱有源层设置在该谐振器中的驻波的波腹处。但量子阱有源层由一个Ga<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P阱层和一对将Ga<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P阱层夹在其间的(Al<SUB>0.5</SUB>Ga<SUB>0.5</SUB>)<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P垒层组成。(Al<SUB>0.5</SUB>Ga<SUB>0.5</SUB>)<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P垒层的杂质浓度高于Ga<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P阱层的。例如，Ga<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P阱层的杂质浓度设置为2×10<SUP>16</SUP>cm<SUP>－3</SUP>，而(Al<SUB>0.5</SUB>Ga<SUB>0.5</SUB>)<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P垒层的杂质浓度设置为2×10<SUP>18</SUP>cm<SUP>－3</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN1461062A | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN03145441.0 | 申请日期 | 2003.04.17 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 村上哲朗;仓桥孝尚;大山尚一;中津弘志 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/183;H01S5/343 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光元件，包括：一由一半导体衬底支撑的第一多层反射膜和一在该第一多层反射膜上方离该第一多层反射膜特定距离形成的第二多层反射膜；一由该第一和第二多层反射膜形成的、内部产生驻波的谐振器；以及一形成在该谐振器中的驻波的波腹处的量子阱发光层，该量子阱发光层具有至少一个阱层和将该至少一个阱层夹在其间的多个垒层；该垒层具有的杂质浓度高于该阱层的杂质浓度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||