发明名称 | 多存储体同步型半导体存储装置 | ||
摘要 | 在多存储体半导体存储装置中,当只有一个存储体为激活状态时,存储体驱动信号发生电路(30),根据来自与存储体(#A、#B)分别对应设置的存储体驱动电路(5、6)的阵列激活信号ACT#A和ACT#B,将与由命令译码器(2)供给的动作方式指示信号(φ)对应的动作方式指定信号(φA、φB)供给与该激活状态的存储体对应设置的存储体驱动电路。这时,存储体地址信号的状态是任意的。因此,可以简化存储体的指定控制。 | ||
申请公布号 | CN1130729C | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
申请号 | CN98108372.2 | 申请日期 | 1998.05.13 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 泽田诚二 |
分类号 | G11C11/41 | 主分类号 | G11C11/41 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 姜郛厚;叶恺东 |
主权项 | 1.一种半导体存储装置,具有能彼此独立地激活和非激活的多个存储体,其特征在于它备有:多个存储体驱动装置,与上述多个存储体分别对应设置,根据所供给的动作方式指定信号驱动对应的存储体;及驱动信号发生装置,与上述多个存储体驱动装置联接,用于判断上述多个存储体中的每一个是否处在激活状态,并当其判断结果表示上述多个存储体中只有一个存储体处在激活状态时,对该激活状态的一个存储体输出与所提供的动作方式指示信号对应的上述动作方式指定信号。 | ||
地址 | 日本东京都 |