发明名称 | 具有高记录密度的光盘 | ||
摘要 | 一种光盘,包括:一个记录槽,它具有k倍于标准记录格式道距的道距(0<k<1)。该记录槽由凹坑组成,该凹坑具有小于k倍标准记录格式凹坑长度的凹坑长度。当具有Vm/second的线速度的标准致密盘被压缩时,道距pμm和最短凹坑长度Lμm被设定为满足L<(A/1.6)×p的关系式。这里,A=(v/4.3218)×3。当记录密度增至接近致密盘的记录密度两倍时,道距被设定为0.9-1.4μm,最好接近1.1-1.3μm,最佳值为1.2μm。由于在该光盘中道距压缩的程度不像凹坑长度压缩的程度那样大,因此能够抑制串音的生成。此外,由于道距被设定为1.2μm或1.2μm左右,因此可以抑制重放信号的跳动。 | ||
申请公布号 | CN1130692C | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
申请号 | CN98109777.4 | 申请日期 | 1998.04.24 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 寺崎均;市浦秀一 |
分类号 | G11B3/70;G11B7/00 | 主分类号 | G11B3/70 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;叶恺东 |
主权项 | 1.一种光盘,具有接近两倍于标准记录格式的记录密度的记录密度,该光盘包括记录槽,它具有K倍于所述标准记录格式道距的道距;所述记录槽由若干凹坑构成,所述凹坑具有小于K倍的所述标准记录格式凹坑长度的凹坑长度,在这里,0<K<1,其中,所述标准记录格式是致密盘格式,其中,当具有Vm/second的线速度的标准致密盘被压缩时,其中所述pμm的道距和Lμm的最短凹坑长度满足L<(A/1.6)×p的关系式,这里,A=(V/4.3218)×3,其特征在于,所述道距接近0.9-1.4μm。 | ||
地址 | 日本大阪府 |