| 发明名称 | 显示装置 | ||
| 摘要 | 提供一种显示装置，在驱动电路等中具备用减小P－MOS TFT和N－MOS TFT的办法进行高集成化的C－MOS p－Si TFT。采用作为用来制作在显示装置中具备的C－MOS p－Si TFT的暴光掩模使用半色调掩模的自对准C－MOS工艺。由于使用半色调掩模，在P－MOS部分25和N－MOS部分26的结合部分处就不再需要位置对准，减少了光工艺次数，可以高集成化。 | ||
| 申请公布号 | CN1460979A | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN03121106.2 | 申请日期 | 2003.03.21 |
| 申请人 | 株式会社日立显示器 | 发明人 | 园田大介;金子寿辉 |
| 分类号 | G09G3/00;G09G3/32;G02F1/136 | 主分类号 | G09G3/00 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种显示装置，具有以下的构成：在上述显示装置的基板上具有C-MOS薄膜晶体管，上述C-MOS薄膜晶体管的P沟部分的栅极电极和N沟部分的栅极电极的宽度不同。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||