非易失性半导体存储装置及其生产方法

摘要

本发明可防止在非易失性半导体存储装置中的布线刻蚀期间的充电。该装置具有一浮置栅和一控制栅，其在存储器工作时加在正负两种电压。在第一导电型的芯片51上制作一相反于第一型的第二导电型的第一阱52，在第一阱52中制作一第一导电型的第二阱53，在第二阱53的主表面上相继制作一复合门8，包括了一第一绝缘膜4、一浮置栅5、一第二门绝缘膜6和一控制栅7。在第二阱53的表面用离子注入法制作一源、一漏和一第二导电型的防止充电元件扩散层18。

主权项

1、一种非易失性半导体存储装置，在其第一导电型的半导体基片上具有一浮置栅和一控制栅，其特征在于其中，在所说的半导体基片上制作一与所说的半导体基片的所说的第一导电型相反的第二导电型的第一阱；和在所说的第一阱中制作一所说的第一导电型的半导体层，该半导体层是与所说的控制栅电连接。