| 发明名称 | 薄膜类型的半导体压力传感器 | ||
| 摘要 | 一种薄膜类型半导体压力传感器(S1)包括一基本上矩形(110)的半导体基片(10)，所述半导体基片具有四个侧边(10a)、一(110)晶面方向的有效表面(11)和一与所述有效表面相反的(110)晶面方向的背面(12)。表面(11，12)中的每个表面被四个侧边(10a)包围，四个侧边(10a)中的每个侧面与大致平行于有效表面(11)的方向<110>的晶轴的夹角大致是45°。基片(10)包括有效表面(11)上的薄膜(14)。通过在背面(12)上形成凹入部分(13)，形成所述薄膜(14)。薄膜(14)包括标准电阻(Rc1，Rc2，Rs1，Rs2)。根据标准电阻(Rc1，Rc2，Rs1，Rs2)上电阻的变化，检测压力。 | ||
| 申请公布号 | CN1460846A | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN03123715.0 | 申请日期 | 2003.05.20 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 石王诚一郎 |
| 分类号 | G01L9/04 | 主分类号 | G01L9/04 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王琼 |
| 主权项 | 1.一种薄膜类型半导体压力传感器(S1)，包括一基本上矩形(110)半导体基片(10)，所述半导体基片具有四个侧边(10a)、一(110)晶面方向的有效表面(11)和一与所述有效表面相反的(110)晶面方向的背面(12)，其中：表面(11，12)中的每一个表面被四个侧边(10a)包围，四个侧边(10a)中的每个侧面与大致平行于有效表面(11)的方向<110>的晶轴的夹角大致是45°，基片(10)包括在有效表面(11)上的薄膜(14)，通过在背面(12)上形成凹入部分(13)，形成所述薄膜(14)，薄膜(14)包括标准电阻(Rc1，Rc2，Rs1，Rs2)，根据标准电阻(Rc1，Rc2，Rs1，Rs2)上电阻的变化，检测压力。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||