发明名称 处理高纵横比结构的方法
摘要 本发明提供一种方法,包含下列步骤:A.提供一基板,该基板具有一表面和位于该表面上的至少一个开孔,该开孔具有一高纵横比;B.提供一被汽化的第一化学物质至前述的至少一个开孔内,从而形成一预备层;以及C.提供一第二化学物质至前述的至少一个开孔中,以实现清洁、涂布、或蚀刻的目的。所述的预备层可帮助后续的第二化学物质容易地填入所述的高纵横比的结构中,从而实现清洁、涂布、或蚀刻的目的。
申请公布号 CN1130759C 申请公布日期 2003.12.10
申请号 CN99125475.9 申请日期 1999.12.06
申请人 刘裕财 发明人 刘裕财
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 于辉
主权项 1、一种处理高纵横比结构的方法,包括下列步骤:A.提供一基板,该基板具有一表面和位于该表面上的至少一个开孔,该开孔具有一高纵横比;B.提供一被汽化的第一液体化学物质至所述的至少一个开孔内,使其凝结于所述的开孔中;然后C.提供一第二液体化学物质至所述的凝结有第一化学物质的至少一个开孔中,其中所述的第一化学物质与所述的第二化学物质包含至少一种相同的组分。
地址 中国台湾