发明名称 |
用于通过激光束使半导体结晶化的方法和装置 |
摘要 |
由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束,其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上,以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括一个子光束选择照射系统,该系统包括子光束分离组件和子光束聚焦组件。并且,该装置包括激光源、聚焦光学系统、以及组合光学系统。用于支承基片的平台包括多个第一台部件、置于该第一台部件上方的第二台部件、以及可旋转地置于该第二平台上以支承该无定形半导体的第三台部件。 |
申请公布号 |
CN1461045A |
申请公布日期 |
2003.12.10 |
申请号 |
CN03131162.8 |
申请日期 |
2003.05.16 |
申请人 |
富士通株式会社;株式会社日本激光 |
发明人 |
佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一 |
分类号 |
H01L21/268;H01L21/00;G02F1/133 |
主分类号 |
H01L21/268 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
1.一种用于对半导体结晶化的方法,包括如下步骤:把由激光源所发射的激光束分类多个子光束;以及有选择地把子光束照射到基片上的无定形半导体上,以使该半导体结晶化;其中由多个激光源所发射的激光束被同时照射到该半导体上,并且多个激光束的发散角之间的差别被纠正。 |
地址 |
日本神奈川 |