| 主权项 |
1、一种用于产生增高的输出电压的电路配置，含有：—一个具有主电流电路和一个栅极端子的P沟道金属氧化物晶体管(1)，所述主电流电路与用于分接增高的输出电压(WDRV)的输出端子连接，—一个自举电容(2)，该电容接在P沟道金属氧化物晶体管(1)的主电流电路上，—一个第一预充电晶体管(3)，该晶体管与输出端子(29)连接，以及第二预充电晶体管(4)，该晶体管与自举电容(2)连接，—控制电路器件(20……28)，所述控制电路器件(20……28)具有一个电流电路，该电流电路带有第一晶体管(20)，该晶体管与电源电压的正极(VDD)的端子连接，并且带有第二晶体管(21)，该晶体管与电源电压负极(VSS)的端子连接，控制电路器件的耦合节点与P沟道金属氧化物晶体管(1)的栅极连接，在第一阶段第二晶体管(21)导通，在第二阶段没有任何一个晶体管(20、21)导通并且在第一阶段和第二阶段之外第一晶体管(20)导通，它们的作用在于，在第一阶段将P沟道金属氧化物晶体管(1)的栅极端子保持在低电位上并将预充电晶体管(3、4)导通，在第二阶段使P沟道金属氧化物晶体管(1)的栅极端子具有一个悬浮的电位并且在第一阶段自举电容(2)的与P沟道金属氧化物晶体管(1)的主电流电路相背的端子具有一个低电位并且在第二阶段具有一个高电位。 |
