| 发明名称 | 用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法 | ||
| 摘要 | 一种在等离子处理室内用于蚀刻在半导体基片上的含有二氧化硅的层的方法，所述的含有二氧化硅的层布置在一个氮化硅(SiN)层上，该方法包括：把所述基片放在所述的等离子体处理室内；使一种蚀刻源气体流进所述的等离子处理室内，所述的蚀刻源气体包括C<SUB>4</SUB>F<SUB>8</SUB>和一种非一氧化碳(CO)的添加气体，所述添加气体选择由下列物质构成的组：CH<SUB>3</SUB>CHO、CFH<SUB>2</SUB>CHO、CF<SUB>2</SUB>HCHO、CF<SUB>3</SUB>CHO、CH<SUB>3</SUB>COCH<SUB>3</SUB>、CH<SUB>3</SUB>COCH<SUB>3</SUB>的氟代衍生物、HCOOH、OHC-CHO、HOOC-COOH、HOCH<SUB>2</SUB>-CHO、COF<SUB>2</SUB>、HCHO、CH<SUB>3</SUB>OH和CH<SUB>3</SUB>CH<SUB>2</SUB>OH；以及由所述蚀刻源气体触发等离子体，以蚀刻穿过至少部分所述的含有二氧化硅的层。 | ||
| 申请公布号 | CN1130760C | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN98118803.6 | 申请日期 | 1998.08.28 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 马库斯·M·柯克霍夫;约基恩·哈尼贝克 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种用于蚀刻在半导体基片上的含有二氧化硅的层的方法，所述的含有二氧化硅的层布置在一个氮化硅(SiN)层上，该方法包括：把所述基片放在所述的等离子体处理室内；使一种蚀刻源气体流进所述的等离子处理室内，所述的蚀刻源气体包括C4F8和一种非一氧化碳(CO)的添加气体，所述添加气体选择由下列物质构成的组：CH3CHO、CFH2CHO、CF2HCHO、CF3CHO、CH3COCH3、CH3COCH3的氟代衍生物、HCOOH、OHC-CHO、HOOC-COOH、HOCH2-CHO、COF2，HCHO、CH3OH和CH3CH2OH；以及由所述蚀刻源气体触发等离子体，以至少部分蚀刻穿过所述的含有二氧化硅的层。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||